Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характе...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2008
Hauptverfasser: Милославский, В.К., Юнакова, О.Н., Коваленко, Е.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз. Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз. The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases
ISSN:0132-6414