Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
 возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят&#xd...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2008
Автори: Милославский, В.К., Юнакова, О.Н., Коваленко, Е.Н.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экситонный спектр поглощения тонких пленок
 Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
 возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
 квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
 длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
 предшественниками низкотемпературных фаз. Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
 і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
 ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
 довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
 низькотемпературних фаз. The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
 is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
 90–290 K. It is established, that the compound
 qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
 exciton excitations are located in the
 ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
 quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
 temperature behavior of spectral position and halfwidth
 of the low frequency exciton band shows the
 effects of thermal memory caused by the predecessors
 of low-temperature phases
ISSN:0132-6414