Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характе...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
предшественниками низкотемпературных фаз.
Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
низькотемпературних фаз.
The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
90–290 K. It is established, that the compound
qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
exciton excitations are located in the
ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
temperature behavior of spectral position and halfwidth
of the low frequency exciton band shows the
effects of thermal memory caused by the predecessors
of low-temperature phases
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |