Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характе...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2008
Автори: Милославский, В.К., Юнакова, О.Н., Коваленко, Е.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Теми:
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116980
record_format dspace
spelling Милославский, В.К.
Юнакова, О.Н.
Коваленко, Е.Н.
2017-05-18T17:19:43Z
2017-05-18T17:19:43Z
2008
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 77.80.–e;77.80.Bh;78.40.–q
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз.
Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз.
The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
Excitonic absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
spellingShingle Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
Милославский, В.К.
Юнакова, О.Н.
Коваленко, Е.Н.
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title_short Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
title_full Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
title_fullStr Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
title_full_unstemmed Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
title_sort экситонный спектр поглощения тонких пленок rb₂zni₄
author Милославский, В.К.
Юнакова, О.Н.
Коваленко, Е.Н.
author_facet Милославский, В.К.
Юнакова, О.Н.
Коваленко, Е.Н.
topic Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
publishDate 2008
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Excitonic absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
description Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз. Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз. The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980
citation_txt Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT miloslavskiivk éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4
AT ûnakovaon éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4
AT kovalenkoen éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4
AT miloslavskiivk excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms
AT ûnakovaon excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms
AT kovalenkoen excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms
first_indexed 2025-12-07T19:26:11Z
last_indexed 2025-12-07T19:26:11Z
_version_ 1850878797113458688

Схожі ресурси