Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
 возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Экситонный спектр поглощения тонких пленок
 Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862731419064729600 |
|---|---|
| author | Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. |
| author_facet | Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. |
| citation_txt | Экситонный спектр поглощения тонких пленок
 Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
предшественниками низкотемпературных фаз.
Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
низькотемпературних фаз.
The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
90–290 K. It is established, that the compound
qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
exciton excitations are located in the
ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
temperature behavior of spectral position and halfwidth
of the low frequency exciton band shows the
effects of thermal memory caused by the predecessors
of low-temperature phases
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:26:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116980 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:26:11Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. 2017-05-18T17:19:43Z 2017-05-18T17:19:43Z 2008 Экситонный спектр поглощения тонких пленок
 Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 77.80.–e;77.80.Bh;78.40.–q https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980 Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
 возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
 квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
 длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
 предшественниками низкотемпературных фаз. Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур
 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн
 і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим
 ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини
 довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками
 низькотемпературних фаз. The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films
 is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures
 90–290 K. It is established, that the compound
 qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency
 exciton excitations are located in the
 ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are
 quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the
 temperature behavior of spectral position and halfwidth
 of the low frequency exciton band shows the
 effects of thermal memory caused by the predecessors
 of low-temperature phases ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ Excitonic absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films Article published earlier |
| spellingShingle | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_alt | Excitonic absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films |
| title_full | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_fullStr | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_full_unstemmed | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_short | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_sort | экситонный спектр поглощения тонких пленок rb₂zni₄ |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116980 |
| work_keys_str_mv | AT miloslavskiivk éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 AT ûnakovaon éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 AT kovalenkoen éksitonnyispektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 AT miloslavskiivk excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms AT ûnakovaon excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms AT kovalenkoen excitonicabsorptionspectrumofrb2zni4thinfilms |