Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями

Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2009
Автори: Окулов, В.И., Памятных, Е.А., Альшанский, Г.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116987
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями / В.И. Окулов, Е.А. Памятных, Г.А. Альшанский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 2. — С. 194-196. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусловленная ферми-жидкостным взаимодействием, из-за частичной локализации электронов на примесях в резонансном интервале является немонотонной. Дано теоретичний опис концентраційної залежності g-фактора електронів провідності в гібридизованих станах на донорських домішках у напівпровіднику з урахуванням впливу міжелектронної взаємодії в рамках фермі-рідинного підходу. Показано, що залежність, яка передбачається теорією і обумовлена фермі-рідинною взаємодією, є немонотонною через часткову локалізацію електронів на домішках у резонансному інтервалі. The concentration dependence of conduction electrons g factor in hybridized states on donor impurities in a semiconductor is described theoretically with allowance for the electron–electron interaction in the framework of the Fermi-liquid approach. It is shown that the theoretical dependence, due to the Fermi-liquid interaction, is nonmonotonous because of partial localization of electrons on impurities in the resonance interval.