Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями
Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусл...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116987 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями / В.И. Окулов, Е.А. Памятных, Г.А. Альшанский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 2. — С. 194-196. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусловленная ферми-жидкостным взаимодействием, из-за частичной локализации электронов на примесях в резонансном интервале является немонотонной.
Дано теоретичний опис концентраційної залежності g-фактора електронів провідності в гібридизованих станах на донорських домішках у напівпровіднику з урахуванням впливу міжелектронної
взаємодії в рамках фермі-рідинного підходу. Показано, що залежність, яка передбачається теорією і
обумовлена фермі-рідинною взаємодією, є немонотонною через часткову локалізацію електронів на
домішках у резонансному інтервалі.
The concentration dependence of conduction
electrons g factor in hybridized states on donor impurities
in a semiconductor is described theoretically
with allowance for the electron–electron interaction
in the framework of the Fermi-liquid
approach. It is shown that the theoretical dependence,
due to the Fermi-liquid interaction, is nonmonotonous
because of partial localization of electrons
on impurities in the resonance interval.
|
|---|