Спин-поляризованный транспорт в манганите La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃
Подробно исследован низкотемпературный минимум электросопротивления La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Анализ экспериментальных данных показывает, что обнаруженный низкотемпературный минимум электросопротивления в нулевом магнитном поле и большой магниторезистивный эффект, растущий при понижении температуры, можно о...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116995 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спин-поляризованный транспорт в манганите La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃ / А.Г. Гамзатов, А.Б. Батдалов, О.В. Мельников, О.Ю. Горбенко // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 3. — С. 290-294. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Подробно исследован низкотемпературный минимум электросопротивления La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Анализ экспериментальных данных показывает, что обнаруженный низкотемпературный минимум электросопротивления в нулевом магнитном поле и большой магниторезистивный эффект, растущий при понижении температуры, можно объяснить в рамках модели спин-поляризованного туннелирования носителей тока через границы гранул.
Докладно досліджено низькотемпературний мінімум електроопору La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Аналіз експериментальних даних показує, що низькотемпературний мінімум електроопору, який виявлено, в
нульовому магнітному полі та великий магніторезистивний ефект, що росте при зниженні температури, можна пояснити в рамках моделі спін-поляризованого тунелювання носіїв струму через границі
гранул.
The low-temperature minimum of La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃
resistivity is studied comprehensively. According
to the experimental data the low-temperature minimum
of resistivity in zero magnetic field and
the significant magnetoresistive effect, increasing
with temperature decrease, can be explained within
the model of spin-polarized tunneling of carriers
through the grain boundaries.
|
|---|