Спин-поляризованный транспорт в манганите La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃

Подробно исследован низкотемпературный минимум электросопротивления La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Анализ экспериментальных данных показывает, что обнаруженный низкотемпературный минимум электросопротивления в нулевом магнитном поле и большой магниторезистивный эффект, растущий при понижении температуры, можно о...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2009
Main Authors: Гамзатов, А.Г., Батдалов, А.Б., Мельников, О.В., Горбенко, О.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116995
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Спин-поляризованный транспорт в манганите La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃ / А.Г. Гамзатов, А.Б. Батдалов, О.В. Мельников, О.Ю. Горбенко // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 3. — С. 290-294. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Подробно исследован низкотемпературный минимум электросопротивления La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Анализ экспериментальных данных показывает, что обнаруженный низкотемпературный минимум электросопротивления в нулевом магнитном поле и большой магниторезистивный эффект, растущий при понижении температуры, можно объяснить в рамках модели спин-поляризованного туннелирования носителей тока через границы гранул. Докладно досліджено низькотемпературний мінімум електроопору La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Аналіз експериментальних даних показує, що низькотемпературний мінімум електроопору, який виявлено, в
 нульовому магнітному полі та великий магніторезистивний ефект, що росте при зниженні температури, можна пояснити в рамках моделі спін-поляризованого тунелювання носіїв струму через границі
 гранул. The low-temperature minimum of La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃
 resistivity is studied comprehensively. According
 to the experimental data the low-temperature minimum
 of resistivity in zero magnetic field and
 the significant magnetoresistive effect, increasing
 with temperature decrease, can be explained within
 the model of spin-polarized tunneling of carriers
 through the grain boundaries.