Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2008
• Main Authors: Альшанский, Г.А., Говоркова, Т.Е., Окулов, В.И., Королев, А.В., Паранчич, С.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Subjects: Кpаткие сообщения
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116997
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа
 / Г.А. Альшанский, Т.Е. Говоркова, В.И. Окулов, А.В. Королев, С.Ю. Паранчич
 // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 613–616. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Проведено экспериментальное исследование концентрационных зависимостей параметров квантовых
 осцилляций Шубникова–де Гааза и де Гааза–ван Альфена в кристаллах селенида ртути с примесями
 железа в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей попадает в полосу
 проводимости и происходит гибридизация электронных состояний. В полученных
 концентрационных зависимостях температуры Дингла и g-фактора электронов обнаружены минимумы,
 коррелирующие по своему положению с максимумом электронной подвижности. Показано, что
 наблюдаемые аномалии можно объяснить на основе развитой ранее теории эффектов гибридизации. Проведено експериментальне дослідження концентраційних залежностей параметрів квантових
 осциляцій Шубнікова–де Гааза і де Гааза–ван Альфена в кристалах селеніда ртуті з домішками заліза
 в умовах, коли донорний резонансний рівень енергії домішок потрапляє в смугу провідності та відбува
 ється гібридизація електронних станів. У отриманих концентраційних залежностях температури
 Дінгла і g-фактора електронів виявлено мінімуми, що корелюють по своєму положенню з максимумом
 електронної рухливості. Показано, що аномалії, які спостерігаються, можна пояснити на основі розвинено
 ї раніше теорії ефектів гібридизації The concentration dependences of the parameters
 of Shubnikov–de Haas and de Haas–van Alphen
 quantum oscillations were experimentally studied
 under conditions, where the donor level falls
 within the conduction band, resulting in hybridization of electronic states. The dependences of
 Dingle temperature and g-factor of electrons reveal
 minima that correlate in their position with the maximum
 of electron mobility. It is shown that the
 anomalies observed can be explained using the theory
 of hybridization effects.