Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Альшанский, Г.А., Говоркова, Т.Е., Окулов, В.И., Королев, А.В., Паранчич, С.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Schlagworte: Кpаткие сообщения
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116997
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа / Г.А. Альшанский, Т.Е. Говоркова, В.И. Окулов, А.В. Королев, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 613–616. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Проведено экспериментальное исследование концентрационных зависимостей параметров квантовых осцилляций Шубникова–де Гааза и де Гааза–ван Альфена в кристаллах селенида ртути с примесями железа в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей попадает в полосу проводимости и происходит гибридизация электронных состояний. В полученных концентрационных зависимостях температуры Дингла и g-фактора электронов обнаружены минимумы, коррелирующие по своему положению с максимумом электронной подвижности. Показано, что наблюдаемые аномалии можно объяснить на основе развитой ранее теории эффектов гибридизации. Проведено експериментальне дослідження концентраційних залежностей параметрів квантових осциляцій Шубнікова–де Гааза і де Гааза–ван Альфена в кристалах селеніда ртуті з домішками заліза в умовах, коли донорний резонансний рівень енергії домішок потрапляє в смугу провідності та відбува ється гібридизація електронних станів. У отриманих концентраційних залежностях температури Дінгла і g-фактора електронів виявлено мінімуми, що корелюють по своєму положенню з максимумом електронної рухливості. Показано, що аномалії, які спостерігаються, можна пояснити на основі розвинено ї раніше теорії ефектів гібридизації The concentration dependences of the parameters of Shubnikov–de Haas and de Haas–van Alphen quantum oscillations were experimentally studied under conditions, where the donor level falls within the conduction band, resulting in hybridization of electronic states. The dependences of Dingle temperature and g-factor of electrons reveal minima that correlate in their position with the maximum of electron mobility. It is shown that the anomalies observed can be explained using the theory of hybridization effects.