Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si

• Veröffentlicht in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Юсупов, А., Адамбаев, К., Тураев, З.З., Алиев, С.Р.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116999
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення. Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism.