Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116999 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728588556500992 |
|---|---|
| author | Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. |
| author_facet | Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. |
| citation_txt | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса.
Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення.
Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:10:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116999 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:10:06Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. 2017-05-18T18:34:58Z 2017-05-18T18:34:58Z 2016 Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116999 621.315.592 Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення. Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Механізм струмоперенесення у гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. |
| title | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_alt | Механізм струмоперенесення у гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_full | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_fullStr | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_full_unstemmed | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_short | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_sort | механизм токопереноса в гетеропереходах p-cu₂znsns₄/n-si |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116999 |
| work_keys_str_mv | AT ûsupova mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT adambaevk mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT turaevzz mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT alievsr mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT ûsupova mehanízmstrumoperenesennâugeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT adambaevk mehanízmstrumoperenesennâugeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT turaevzz mehanízmstrumoperenesennâugeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT alievsr mehanízmstrumoperenesennâugeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT ûsupova mechanismofcurrenttransportinheterojunctionspcu2znsns4nsi AT adambaevk mechanismofcurrenttransportinheterojunctionspcu2znsns4nsi AT turaevzz mechanismofcurrenttransportinheterojunctionspcu2znsns4nsi AT alievsr mechanismofcurrenttransportinheterojunctionspcu2znsns4nsi |