Створення гетероструктури n-InSe-графіт

• Veröffentlicht in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Ковалюк, З.Д., Ткачук, І.Г., Поцілуйко, Р.Л., Катеринчук, В.М., Нетяга, В.В., Камінський, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. В данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса. This paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer.