Створення гетероструктури n-InSe-графіт
В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. В данн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862618513214013440 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Ткачук, І.Г. Поцілуйко, Р.Л. Катеринчук, В.М. Нетяга, В.В. Камінський, В.М. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Ткачук, І.Г. Поцілуйко, Р.Л. Катеринчук, В.М. Нетяга, В.В. Камінський, В.М. |
| citation_txt | Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу.
В данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса.
This paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:14:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117000 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:14:00Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Ткачук, І.Г. Поцілуйко, Р.Л. Катеринчук, В.М. Нетяга, В.В. Камінський, В.М. 2017-05-18T18:37:30Z 2017-05-18T18:37:30Z 2016 Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000 537.312, 535.215 В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. В данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса. This paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Створення гетероструктури n-InSe-графіт Создание гетероструктуры n-InSe-графит The creation of heterostructures n-InSe-graphite Article published earlier |
| spellingShingle | Створення гетероструктури n-InSe-графіт Ковалюк, З.Д. Ткачук, І.Г. Поцілуйко, Р.Л. Катеринчук, В.М. Нетяга, В.В. Камінський, В.М. |
| title | Створення гетероструктури n-InSe-графіт |
| title_alt | Создание гетероструктуры n-InSe-графит The creation of heterostructures n-InSe-graphite |
| title_full | Створення гетероструктури n-InSe-графіт |
| title_fullStr | Створення гетероструктури n-InSe-графіт |
| title_full_unstemmed | Створення гетероструктури n-InSe-графіт |
| title_short | Створення гетероструктури n-InSe-графіт |
| title_sort | створення гетероструктури n-inse-графіт |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT tkačukíg stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT pocíluikorl stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT katerinčukvm stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT netâgavv stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT kamínsʹkiivm stvorennâgeterostrukturininsegrafít AT kovalûkzd sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT tkačukíg sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT pocíluikorl sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT katerinčukvm sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT netâgavv sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT kamínsʹkiivm sozdaniegeterostrukturyninsegrafit AT kovalûkzd thecreationofheterostructuresninsegraphite AT tkačukíg thecreationofheterostructuresninsegraphite AT pocíluikorl thecreationofheterostructuresninsegraphite AT katerinčukvm thecreationofheterostructuresninsegraphite AT netâgavv thecreationofheterostructuresninsegraphite AT kamínsʹkiivm thecreationofheterostructuresninsegraphite |