Зображення обкладинки

Створення гетероструктури n-InSe-графіт

В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. В данн...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Журнал физики и инженерии поверхности
Дата:	2016
Автори:	Ковалюк, З.Д., Ткачук, І.Г., Поцілуйко, Р.Л., Катеринчук, В.М., Нетяга, В.В., Камінський, В.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
за авторством: Мінтянський, І.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
за авторством: Гаврилюк, С.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Напівпровідникові гетероструктури
за авторством: Алфьоров, Ж.
Опубліковано: (2001)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Графіт–сульфідний парагенезис Заваллівського родовища графіту
за авторством: Бурбан, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Нанокомпозитні каталізатори системи терморозширений графіт—кобальт для синтезу вуглецевих нанотрубок
за авторством: Сидоренко, І.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
за авторством: S. V. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)