Створення гетероструктури n-InSe-графіт
В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. В данн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | Ковалюк, З.Д., Ткачук, І.Г., Поцілуйко, Р.Л., Катеринчук, В.М., Нетяга, В.В., Камінський, В.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Напівпровідникові гетероструктури
von: Алфьоров, Ж.
Veröffentlicht: (2001)
von: Алфьоров, Ж.
Veröffentlicht: (2001)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Графіт–сульфідний парагенезис Заваллівського родовища графіту
von: Бурбан, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Бурбан, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Нанокомпозитні каталізатори системи терморозширений графіт—кобальт для синтезу вуглецевих нанотрубок
von: Сидоренко, І.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Сидоренко, І.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
von: Tkachuk, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Tkachuk, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
von: S. V. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: S. V. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Ähnliche Einträge
-
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)