Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальни...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Журнал физики и инженерии поверхности
Дата:2016
Автори: Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, З., Касымов, Ш.С.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі. The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
ISSN:2519-2485