Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальни...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860202891495604224 |
|---|---|
| author | Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, З. Касымов, Ш.С. |
| author_facet | Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, З. Касымов, Ш.С. |
| citation_txt | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе.
У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі.
The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:11:05Z |
| format | Article |
| fulltext |
268268
Журнал фізики та інженерії поверхні, 2016, том 1, № 3, сс. 268–273; Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1, № 3, сс. 268–273;
Journal of Surface Physics and Engineering, 2016, vol. 1, No. 3, pp. 268–273
© Юлдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С., 2016
УДК 621.393.3: 621.382: 621.385
УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ,
СОСТОЯЩЕЙ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА С ПЛАЗМЕННЫМИ КОНТАКТАМИ
Х. Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш. С. Касымов
Ферганский политехнический институт,
г. Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию 27.09.2016
В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований
вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменны-
ми контактами в газоразрядной фотографической системе.
Ключевые слова: полупроводниковый электрод, ионизационная камера, газоразрядный про-
межуток, полуизолирующий арсенид галлия, фотоприемник, вольтамперная характеристика,
плазменный контакт.
ПІДСИЛЮВАЛЬНІ ПРОЦЕСИ В ГАЗОРОЗРЯДНІЙ КОМІРЦІ, ЩО
СКЛАДАЄТЬСЯ З НАПІВПРОВІДНИКА З ПЛАЗМОВИМИ КОНТАКТАМИ
Х. Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш. С. Касимов
У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольт-
амперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами
в газорозрядній фотографічній системі.
Ключові слова: напівпровідниковий електрод, іонізаційна камера, газорозрядний проміжок,
напівізолюючий арсенід галію, фотоприймач, вольтамперна характеристика, плазмовий кон-
такт.
AMPLIFICATION PROCESSES IN DISCHARGE CELL CONSISTING
OF THE SEMICONDUCTOR PLASMA CLEAN CONTACTS
Kh. T. Yuldashev, Z. Khaydarov, Sh. S. Kasymov
The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the current-
voltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas
discharge in the photographic system.
Keywords: a semiconductor electrode ionization chamber, discharge gap, semi-insulating gallium
arsenide, a photodetector, the current-voltage characteristic, plasma contact.
ВВЕДЕНИЕ
Газоразрядные системы с полу про водниковым
электродом (SGD-структуры) [1, 2] нашли
практическое применение в высокоскоростных
преобразователях инфракрасных (ИК) изо-
бражений [1–4]. Прохождение постоянного
тока в такой системе сопровождается рядом
своеобразных явлений, приводящих к стаби-
лизации газоразрядного тока и возможности
управления его величиной и пространственным
распределением по сечению разряда путем
модуляции проводимости полупроводни-
кового электрода [5]. Существенную роль
в токопрохождении играет поверхностный
электрический заряд, локализующийся на гра-
нице раздела полупроводник-плазма газового
разряда, самосогласованный по величине с
плотностью тока и во многом определяющий
стационарную вольтамперную характеристику
системы [6].
Плазменные контакты к полупроводниковым
материалам являются очень мало исследован-
ным объектом. Они нашли определенное прак-
тическое применение в полу проводниковых
фотографических системах [7, 8]. Хотя деталь-
ные исследования свойств контакта полупро-
водник-газоразрядная плазма не проводились,
однако, уже начальные данные исследований
позволили выявить ряд интересных фотоэлек-
трических особенно стей этого вида контактов.
В отличие от носителей в металлических элек-
тродах элек троны и ионы плазмы имеют энер-
гию, значительно превышающую равновесную.
Они, попадая на поверхность полупровод ника,
способны вызвать ионизацию как на поверхно-
сти, так и в некоторой глубине полупроводника.
Х. Т. ЮЛДАШЕВ, З. ХАЙДАРОВ, Ш. С. КАСЫМОВ
269ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3
Кроме того, вблизи поверхности возни кает тор-
мозное излучение электронов, которое совмест-
но со свечением газового разряда создаёт поток
фотонов на поверхность, вызывающий внешний
и внут ренний фотоэффек ты. Особенность всех
указанных факторов возбуждения носителей
тока в полупроводни ке проявляет (исключая
реабсорбцию рекомбинационного излучения)
поверхностный характер.
Известно, что электроны с энергией ~50 эВ
проникают вглубь полупроводника примерно
на 50–100 Å, ультрафиолетовое и коротковол-
новое излучения плазмы ~1000 Å, а ионы —
значительно меньше. На границе плазмы
и полупроводника при про хождении тока об-
разуется значительный поверхностный заряд.
Его распространение вглубь полупроводника
под действием напряженности электрического
поля связано с рядом физических факто-
ров, в частности, сильно зависит от свойств
полупроводниковых материалов, а также
примесей и дефектов в них. Свойства и тип
полупроводниковых материалов, даже их
кристаллографическая ориентация (как будет
показано в настоящей работе), сильно влияют
на контактные явления полупроводника с га-
зоразрядной плазмой.
В настоящей работе исследованы кон-
тактные явления на поверхности полупровод-
ника с газоразрядной плазмой и исследованы
усилительные процессы в газоразрядной ячей-
ке, состоящей из арсенида галлия и тел лурида
кадмия с двумя плазменными контактами.
На рис. 1 приведена принципиальная схема
ионизационной системы с двумя плазменными
контактами. В зазоре между фотоприемни-
ком (2) и регистрирующей частью (экраном)
(4) с помощью калиброванных лавсановых
прокладок (3/, 3//) помещался электрод в виде
плоской металлической сетки (6), имеющей
мелкую структуру. Светочувствительным фо-
топриемником (2) служит полуизолирующий
теллурид кадмия, на одну из поверхностей ко-
торого напылен полупрозрачный никелевый
контакт (1). Контрэлектрод (экран) изготов-
лен из стеклянной пластинки 5, покрытой
токопроводящим слоем. Прозрачность сте-
клянной пластинки необходима для визу-
ального наблюдения и фотографирования
свечения газового разряда. Толщина каждой
лавсановой прокладки составляет 40 мкм.
В качестве источника питания использован
высоковольтный блок ВС-23. Для снятия ВАХ
применяли самописец ЛҚД4-003.
Подобная газоразрядная ячейка разме-
щена между двух стеклянных пластинок
с прозрачными проводящими покрытиями
из SnO2. Постоянное напряжение подается
между стеклянными пластинами. Примерно
при U = Ed = 600 вольтах (E — напряжен-
ность электрического поля, d — длина газо-
разрядного промежутка) происходит пробой
газоразрядного промежутка и начинается
тлеющий разряд. Эксперимент проводился
при комнатной температуре, остаточное дав-
ление воздуха обеспечивалось в полупро-
водниковой ионизационной камере (ПИК)
с помощью форвакуумного насоса.
Результаты исследований показывают, что
в газоразрядной ячейке с полупроводником
из арсенида галлия имеется достаточно боль-
шое усиление с коэффициентом усиления (К),
превышающим 50. Однако, с полупроводником
из теллурида кадмия усиление как по току, так
и по яркости свечения, не наблюдается. По ви-
димому, это связано с тем, что на поверхности
полупроводника из теллурида кадмия имеет-
ся достаточное количество ловушек, которые
прихватывают электроны, поступающие из га-
зоразрядной плазмы. Для кинетики тока с уче-
том оптической генерации (F) можно написать
следующие уравнения без учета эксклюзии и
влияния ловушек, в условиях
ξμτE ,
μ 1 ξμ τ exp 1/ τ ξμ
1/ τ ξμ
e EFj E t E
E
. (1)
1 2 3'
J
RH1
–
U1
+
б
U2
+–
Uимп
RH8
R6
5743'6
Рис. 1. Принципиальная схема ионизационной систе-
мы с двумя плазменными контактами
УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ, СОСТОЯЩЕЙ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА...
270 ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3
В условиях
ξμτE ,
μ ξμ τ exp ξμ τ 1/ τ 1
ξμ 1/ τ
e EFj E t E
E
, (2)
где τ — время жизни, μ — подвижность, ξ —
коэффициент пропорциональности.
На рис. 2а и б показаны релаксационные
кривые носителей тока в полупроводнике
при разных значениях приложенного на-
пряжения и постоянного освещения, а на
рис. 2в и г — такие же кривые при разных
значениях интенсивности внешнего света
и постоянного напряжения. В области
эф1/ ξμτ 1/ τ 1/ τ ξμE E , τэф — эффек-
тивное время жизни положи тельно) вели-
чина тока при t → ∞ имеет стационарное
значение. При 1/ ξμτE реализуется
условие эффективного времени жизни —
стационарное состояние отсутст вует.
Характерно, что при E = 1/ξμτ релаксация
выражается линейным нарастанием тока
с наклоном, соответствующим темпу опти-
ческой генерации носителей тока при от-
сутствии рекомбинации. В этом случае
предполагается, что рекомбинацион ные
потери носителей в точности воспол няются
генерацией от плазмы и эф фективное время
жизни τэф обраща ется в бес конечность.
Теперь выясним физический смысл ко-
эффициента ξ. Обозначим в виде
LE = 1/ξ, (3)
некоторую эффективную длину, характерную
для возбуждающего действия плазменного
потока на полупроводник. Тогда при условии
Е = 1/ξμτ,
LE = 1/μEτ (4)
и, следовательно, наибольший эффект воз-
действия плазменного возбуждения имеет
3,0
j·1
0–3
А
/с
м
2
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0 2 4 6 8
t·10–7 с
10
1
2
3
45
а
3,0
j∙1
0–3
А
/с
м
2 2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0 2
t∙10–7 с
4 6
6
7
8910
б
3,0
j∙1
0–3
A
/с
м
2
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0 2 4
t∙10–7 c
6 8 10
1
2
3
4
в
3,0
j∙1
0–3
A
/с
м
2 2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0 2
t∙10–7 c
4 6
1
2
34
г
Рис. 2. Расчетные релаксационные кривые носителей тока в полупроводнике: а, б — при разных зна-
чениях напряженности Е электрического поля и постоянного освещения. Е равно: 1 — 0,4·104 В/см; 2 —
0,9·104; 3 — 1,5·104; 4 — 1,3·104; 5 — 1,6·104; 6 — 2·104; 7 — 2,25·104; 8 — 2,5·104; 9 — 3·104; 10 — 4·104;
F = 1016 см–3 с–1, τ = 10–7с µ = 500 см2 В–1 с–1 ξ = 1 см–1 в, г — при разных интенсивностях оптической генерации
F; для в — F равно: 1 — 0,6·1016 см–3 с–1; 2 — 1016; 3 — 1,5·1016; 4 — 2·1016 и Е = 104 В/см; для г F равно 1 —
0,8·1015 см–3 с–1; 2 — 0,2·1016; 3 — 0,8·1016; 2 —1016; 4 — 2·1016 и Е = 104 В/см
Х. Т. ЮЛДАШЕВ, З. ХАЙДАРОВ, Ш. С. КАСЫМОВ
271ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3
место в том случае, когда длина дрейфово-
го смещения носителей в полупроводнике
становится равной LE, время пролета носи-
телем характерной длины LE достигает време-
ни жизни τ при увеличении напряженности
электрического поля. Ecли ввести время про-
лета T
l
носителем всей длины образца L, ТL =
L/µЕ, то условие (4) можно записать в виде
τL
E
LT
L
или τ E
L
L T
L
. (5)
Это условие формально напоминает усло-
вие возникновения эксклюзии (τ = TL) при LE
= L. Характерная длина lE несомненно свя-
зана с эффективностью воздействия плазмы.
Вольтамперные характеристики кри-
сталла полуизолирующего арсенида галлия
(ρ ≈ 107 Ом·см) толщиной 0,5 мм приведены
на рис. 3а при разных значениях интенсив-
носта освещения F. Остаточное давление
воздуха составляет в системе 0,2 атм. Ток
в системе до напряжения примерно 600 В
отсутствует. При указанном напряжении
происходит пробой газоразрядных зазоров
и увеличение тока с повышением напряже-
ния. Напряжение с постоянной скоростью
поднималось до некоторого фиксированно-
го значения (V1, V2, V3), затем подъем напря-
жения резко прекратился и с этого момента
происходило самопроизвольное нарастание
тока с одновременным уменьшением на-
пряжения на исследуемом материале. При
остановке подъёма напряжения ниже зна-
чения, соответствующего точке V1, V2, V3,
изменение тока во времени не происходило.
Самопроизвольный рост тока при переходе
в нестационарный режим происходит в виде
участка с отрицательным дифференциальным
сопротивлением и с наклоном, в точности со-
ответствующим внутреннему сопротив лению
источника тока. Значения токов и напряже-
ний точек V1, V2, V3 по существу являются
нестационарными. На вид вольтамперных
характеристик существенное влияние
оказывает интенсивность внешнего осве-
щения. Полупроводниковые материалы
из арсенида галлия являются одним из не-
многих чувствительных фотоприeмников
к ультрафиолетовым и коротко-волновым
излучениям плазмы. Подобные материалы
вызывают значительный интерес в отно-
шении перспективности их использования
в новом качестве элементов в полупровод-
никовой фотографической системе. Поэтому
материалы из арсенида галлия более деталь-
но нами экспериментально исследованы.
Кристаллы теллурида кад мия вы ра-
щивались из расплава методом горизон-
тальной направленной кристаллизации
и легировались в процессе выращивания
хлором. Монокристаллические пластины
имели р-тип проводимости с концентрацией
акцепторных примесей 8 3ρ 10 см , подвиж-
ностью электронов и дырок соответственно:
μn = 800 см2/(В·с) и μp = 40 см2/(В·с), време-
нами жизни τn = τp ≈ 5·10–7 c.
Вольтамперные характеристики крис-
талла теллурида кадмия представлены на
рис. 3в и рис. 3г при толщине материала
2,5 мм, 1,5 мм и 0,5 мм соответственно и при
разных значе ниях интенсивности внешнего
света. Как видно из кривых, при увеличении
напряжения в системе не наблюдается само-
произвольное нарастание тока. Напротив,
начальные участ ки ВАХ имеют линейный
характер и при больших напряжениях проис-
ходит насыщение тока, причем, чем меньше
толщина материала, тем меньше напряжение
насыщения. Ве личина напряжения, соответ-
ствующая линейному участку ВАХ, при тол-
щине полупро водникового материала 0,5 мм
приблизительно в 5 раз меньше, чем при тол-
щине 2,5 мм, т. е. насыщение связано прямо
с напряженностью поля. Для объяснения
насыщения тока может быть привлечено яв-
ление эксклюзии носителей. С увеличени-
ем напряженности LE электрического поля
значение эффективной длины по формуле
(5) становится близ ким к толщине полупро-
водника L, при этом выполняется условие TL
≈ τ т. е. время про лёта носителем тока всей
длины полупроводника в системе достигает
времени жизни.
Действительно, если бы прохождение
тока определялось контактными областями,
то линейные участки ВАХ вообще не на-
блюдались бы. Однако, в начальном участ-
ке ВАХ реализуется линейная зависимость
общего тока от напряжения. Эксклюзия
проис ходит в условиях высокого уровня
оптического возбуждения, когда величина
УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ, СОСТОЯЩЕЙ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА...
272 ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3
фототока значительно превосходит темновой
ток. В этом случае дрейфовая подвижность
неравно весных носителей, как известно,
определяется формулой
дрμ
/ μ / μp n
n p
n p
, (6)
где n и р — концентрации электронов и дырок,
μn и μp — их подвижности соответственно.
Если бы реализовалась простая модель по-
движности, определяемая формулой (6), то
можно было ожидать сильную зависимость
напряжения насыщения от интенсивности
света. Однако эксперименты показали, что
с повышением интенсивности света на-
пряжение, соответствующее насыщению,
меняется довольно слабо. Можно предполо-
жить, что один из типов носителей сильно
захватывается в неподвижные состояния на
ловуш ках и тогда в формулу (6) должна быть
введена концентрация только подвижных
носите лей. Если концентрация захваченных
носителей велика, то дрейфовая подвижность
отно сительно мало зависит от интенсивнос-
ти освещения. На присутствие прилипания
кос венно указывают некоторые особеннос-
ти ВАХ, в частности, насыщение выражено
менее отчетливо и имеется определенный
наклон кривых.
Таким образом, преобладающим механиз-
мом насыщения фототока в фотоприем нике
из теллурида кадмия с двумя плазменными
контактами в полупроводниковой фото-
графической системе является зксклюзия,
проходящая в необычных условиях высокого
уровня оптического возбуждения с малой ве-
личиной подвижности и при наличии при-
липания носителей тока. Усложняющим
эксклюзию фактором является также сущест-
венное перераспределение напряженности
поля в полупроводнике по мере уменьшения
концентрации носителей за счёт вытягивания
их полем в плазменный контакт.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Таким образом, на основе приведенных резуль-
татов опыта можно отметить, что по лупроводни-
ковые материалы из арсе нида галлия являются
исключитель но универсальными в отно шении
ра ботоспособности их полупроводниковой
8
j,
м
А
6
4
2
0
0,8
U, кВ
1,6 2,4
123
а
0,75
j,
м
А
0,60
0,45
0,30
0,15
0
0,8
U, кВ
1,6 2,4
1
2
3
45
б
в
j, мА
0,75
0,60
0,45
0,30
0,15
0
0,3 0,6 0,9 1,2
U, кВ
1
2
3
45
г
j, мА
0,30
0,24
0,18
0,12
0,06
0
0,8 1,6 2,4 3,2
U, кВ
1
2
3
4
5
6
Рис. 3. ВАХ системы с разными фотоприемниками
и при разных интенсивностях освещения: а, б — фо-
топриемник — GaAs, интенсивность освещения —
1,5·10–5 Вт/см2; 2 — 2·10–4; 3 — 9·10–4; в, г — фотопри-
емник — CdTe, толщиной б —2,5 мм, в — 1,5 мм, г —
0,5 мм, интенсивность освещения: 1 — темновая; 2 —
2·10–4; 3 — 9·10–4; 4 — 1,5·10–3; 5 — 2,5·10–3; 6 — 4·10–3
Х. Т. ЮЛДАШЕВ, З. ХАЙДАРОВ, Ш. С. КАСЫМОВ
273ЖФІП ЖФИП JSPE, 2016, т. 1, № 3, vol. 1, No. 3
фотографической системы. В частно сти,
их стабилизирующее свойство фототока
с плазменными контактами в фотографиче-
ской системе открывает возможности созда-
ния нового класса приборов для регистрации
инфракрасных излучений.
ЛИТЕРАТУРА
1. Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З.
Фотопреобразователь ИК — изображе-
ний со сверхтонкой газоразрядной ячейкой
и люминофором // Прикладная физика. —
2016. — № 2. — С. 94–99.
2. Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М.,
Берегулин Е. В. Динамика таунсендовско-
го разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. —
Т. 85(5). — С. 27–31.
3. Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М.
Гексагональные структуры тока в системе
полупроводник-газоразрядный промежуток
// ЖТФ. — 2011. — Vol. 81(2). — С. 42–47.
4. Юлдашев Х. Т. Исследование процессов
усиления в системе полупровод ник-га-
зоразрядный промежуток. // 8th Inter na-
tional conference on Eurasian scientific de-
velopment. — Вена. — 2016. — С. 178–183.
5. Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайда-
ров З. Усилительные процессы в узкой ио-
низационной системе с полупроводниковым
электродом // Труды международной кон-
ференции. «Современные проблемы физи-
ки». — Минск. — 2016. — С. 116–122.
6. Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С. Исследова-
ние характеристики преобразователя изо-
бражений в сверхтонкой газоразрядной
ячейке с полупроводниковым электродом //
ФИП. — 2015. — № 2. — С. 218–225.
7. Парицкий Л. Г. Особенности фототока в по-
лупроводнике с плазменными контакта-
ми (Деп. в ВИНИТИ.: № 4902–82). — М.,
1982. — 14 с.
8. Лодыгин А. Н., Парицкий Л. Г., Хайдаров З.
Некоторые особенности фототока в по-
луизолирующем арсениде галлия с плаз-
менными контактами (Деп. в ВИНИТИ.:
№ 4903–82). — М., 1982. — 17 с.
LITERATURA
1. Yuldashev Kh. T., Kasymov Sh. S., Khay-
darov Z. Fotopreobrazovatel’ IK —
izobrazhenij so sverhtonkoj gazorazryadnoj
yachejkoj i lyuminoforom // Рrikladnaya
fizika. — 2016. — No. 2. — P. 94–99.
2. Lodygin A. N., Astrov Yu. A., Portsel’ L. M.,
Beregulin E. V. Dinamika taunsendovskogo
razryada v argone // ZhTF. — 2015. —
Vol. 85(5). — P. 27–31.
3. Astrov Yu. A., Lodygin A. N., Portsel’ L. M.
Geksagonal’nye struktury toka v sisteme
poluprovodnik-gazorazryadnyj promezhutok //
ZhTF. — 2011. — Vol. 81(2). — P. 42–47.
4. Yuldashev Kh. T. Issledovanie processov usi-
leniya v sisteme poluprovodnik-gazorazryadnyj
promezhutok // 8th International conference on
Eurasian scientific development. — Vena. —
2016. — P. 178–183.
5. Yuldashev Kh. T., Kasymov Sh. S., Khay-
darov Z. Usilitel’nye processy v uzkoj
ionizacionnoj sisteme s poluprovodnikovym
elektrodom // Trudy mezhdunarodnoj kon-
ferencii. «Sovremennye problemy fiziki». —
Minsk. — 2016. — P. 116–122.
6. Yuldashev Kh. T., Kasymov Sh. S. Issledovanie
harakteristiki preobrazovatelya izobrazhenij
v sverhtonkoj gazorazryadnoj yachejke
s poluprovodnikovym elektrodom // FIP. —
2015. — No. 2. — P. 218–225.
7. Paritskiy L. G. Osobennosti fototoka
v poluprovodnike s plazmennymi kontaktami
(Dep. v VINITI.: No. 4902–82). — M.,
1982. — 14 p.
8. Lodygin A. N., Paritskiy L. G., Khaydarov Z.
Nekotorye osobennosti fototoka v polui-
zoliruyuschem arsenide galliya s plazmennymi
kontaktami (Dep. v VINITI.: No. 4903–82). —
M., 1982. — 17 p.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117003 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:11:05Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, З. Касымов, Ш.С. 2017-05-18T18:44:14Z 2017-05-18T18:44:14Z 2016 Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003 621.393.3: 621.382: 621.385 В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі. The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts Article published earlier |
| spellingShingle | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами Юлдашев, Х.Т. Хайдаров, З. Касымов, Ш.С. |
| title | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| title_alt | Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts |
| title_full | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| title_fullStr | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| title_full_unstemmed | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| title_short | Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| title_sort | усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003 |
| work_keys_str_mv | AT ûldaševht usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami AT haidarovz usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami AT kasymovšs usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami AT ûldaševht pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami AT haidarovz pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami AT kasymovšs pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami AT ûldaševht amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts AT haidarovz amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts AT kasymovšs amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts |