Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальни...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Журнал физики и инженерии поверхности
Дата:2016
Автори: Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, З., Касымов, Ш.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117003
record_format dspace
spelling Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
2017-05-18T18:44:14Z
2017-05-18T18:44:14Z
2016
Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2519-2485
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
621.393.3: 621.382: 621.385
В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе.
У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі.
The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Журнал физики и инженерии поверхности
Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
spellingShingle Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
title_short Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_full Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_fullStr Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_full_unstemmed Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_sort усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
author Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
author_facet Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
publishDate 2016
language Russian
container_title Журнал физики и инженерии поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts
description В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі. The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
issn 2519-2485
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
citation_txt Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT ûldaševht usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT haidarovz usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT kasymovšs usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT ûldaševht pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT haidarovz pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT kasymovšs pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT ûldaševht amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts
AT haidarovz amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts
AT kasymovšs amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts
first_indexed 2025-12-07T18:11:05Z
last_indexed 2025-12-07T18:11:05Z
_version_ 1850874071891312640