Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальни...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Журнал физики и инженерии поверхности
Datum:2016
Hauptverfasser: Юлдашев, Х.Т., Хайдаров, З., Касымов, Ш.С.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862717572723507200
author Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
author_facet Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
citation_txt Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Журнал физики и инженерии поверхности
description В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе. У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі. The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
first_indexed 2025-12-07T18:11:05Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117003
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2519-2485
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:11:05Z
publishDate 2016
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
2017-05-18T18:44:14Z
2017-05-18T18:44:14Z
2016
Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2519-2485
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
621.393.3: 621.382: 621.385
В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе.
У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі.
The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Журнал физики и инженерии поверхности
Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts
Article
published earlier
spellingShingle Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, З.
Касымов, Ш.С.
title Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_alt Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts
title_full Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_fullStr Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_full_unstemmed Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_short Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
title_sort усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117003
work_keys_str_mv AT ûldaševht usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT haidarovz usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT kasymovšs usilitelʹnyeprocessyvgazorazrâdnoiâčeikesostoâŝeiizpoluprovodnikasplazmennymikontaktami
AT ûldaševht pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT haidarovz pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT kasymovšs pídsilûvalʹníprocesivgazorozrâdníikomírcíŝoskladaêtʹsâznapívprovídnikazplazmovimikontaktami
AT ûldaševht amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts
AT haidarovz amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts
AT kasymovšs amplificationprocessesindischargecellconsistingofthesemiconductorplasmacleancontacts