Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Мустафаева, С.Н., Асадов, М.М., Исмайлов, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
• Schlagworte: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К. Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К. It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К.