Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862672094717804544 |
|---|---|
| author | Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| author_facet | Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| citation_txt | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К.
Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К.
It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:34:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117013 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:34:58Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. 2017-05-19T08:18:54Z 2017-05-19T08:18:54Z 2010 Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К. Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К. It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> Charge transfer over localized states in InSe and InSe<Sn> single crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_alt | Charge transfer over localized states in InSe and InSe<Sn> single crystals |
| title_full | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_fullStr | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_full_unstemmed | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_short | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_sort | перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах inse и inse<sn> |
| topic | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 |
| work_keys_str_mv | AT mustafaevasn perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinseltsn AT asadovmm perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinseltsn AT ismailovaa perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinseltsn AT mustafaevasn chargetransferoverlocalizedstatesininseandinseltsnsinglecrystals AT asadovmm chargetransferoverlocalizedstatesininseandinseltsnsinglecrystals AT ismailovaa chargetransferoverlocalizedstatesininseandinseltsnsinglecrystals |