Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117013 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. 2017-05-19T08:18:54Z 2017-05-19T08:18:54Z 2010 Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К. Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К. It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> Charge transfer over localized states in InSe and InSe<Sn> single crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| spellingShingle |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title_short |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_full |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_fullStr |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_full_unstemmed |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
| title_sort |
перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах inse и inse<sn> |
| author |
Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| author_facet |
Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| topic |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Charge transfer over localized states in InSe and InSe<Sn> single crystals |
| description |
Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К.
Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К.
It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 |
| citation_txt |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT mustafaevasn perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinsesn AT asadovmm perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinsesn AT ismailovaa perenoszarâdapolokalizovannymsostoâniâmvmonokristallahinseiinsesn AT mustafaevasn chargetransferoverlocalizedstatesininseandinsesnsinglecrystals AT asadovmm chargetransferoverlocalizedstatesininseandinsesnsinglecrystals AT ismailovaa chargetransferoverlocalizedstatesininseandinsesnsinglecrystals |
| first_indexed |
2025-12-07T15:34:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:34:58Z |
| _version_ |
1850864249800228864 |