Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | Мустафаева, С.Н., Асадов, М.М., Исмайлов, А.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010)
Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем
by: Стахира, И.М., et al.
Published: (2012)
by: Стахира, И.М., et al.
Published: (2012)
Взаимодействие солитонов с локализованным ВЧ полем
by: Ковалев, А.С., et al.
Published: (2009)
by: Ковалев, А.С., et al.
Published: (2009)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017)
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017)
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
by: Bekirov, B.E., et al.
Published: (2018)
by: Bekirov, B.E., et al.
Published: (2018)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
by: Нетяга, В.В., et al.
Published: (2018)
by: Нетяга, В.В., et al.
Published: (2018)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2012)
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2012)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2012)
Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах Y₃Fe₅O₁₂
by: Воробьева, Н.В., et al.
Published: (1999)
by: Воробьева, Н.В., et al.
Published: (1999)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
by: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Published: (2015)
by: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Published: (2015)
Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
by: Прозоровский, В.Д., et al.
Published: (1998)
by: Прозоровский, В.Д., et al.
Published: (1998)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2009)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2009)
Магнитный и резистивный сверхпроводящие переходы в железосодержащих соединениях FeSe и LaOFFeAs
by: Цзян, Ю.Н., et al.
Published: (2016)
by: Цзян, Ю.Н., et al.
Published: (2016)
Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
by: Прозоровский, В.Д., et al.
Published: (2002)
by: Прозоровский, В.Д., et al.
Published: (2002)
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017)
by: Бахтінов, А.П., et al.
Published: (2017)
Влияние кислородной нестехиометрии на кристаллическую структуру и магнитные свойства катион-дефицитных манганитов Pr₀,₉MnOx (2,85 < x < 2,90)
by: Мантыцкая, О.С., et al.
Published: (2006)
by: Мантыцкая, О.С., et al.
Published: (2006)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
by: Bercha, D.M., et al.
Published: (2000)
by: Bercha, D.M., et al.
Published: (2000)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2016)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2016)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
by: V. V. Netjaga, et al.
Published: (2018)
by: V. V. Netjaga, et al.
Published: (2018)
Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
by: Красовицкий, Вит.Б., et al.
Published: (1998)
by: Красовицкий, Вит.Б., et al.
Published: (1998)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
by: I. V. Mintianskyi, et al.
Published: (2013)
by: I. V. Mintianskyi, et al.
Published: (2013)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2011)
by: Z. D. Kovalyuk, et al.
Published: (2011)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2011)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2011)
Температурные зависимости проводимости, термоэдс и теплоемкости TlCoS₂
by: Керимова, Э.М., et al.
Published: (2004)
by: Керимова, Э.М., et al.
Published: (2004)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
by: V. N. Katerinchuk, et al.
Published: (2006)
by: V. N. Katerinchuk, et al.
Published: (2006)
Изменение магнитных свойств CoSiF₆×6(H₂O) при структурных превращениях под давлением. Определение g-фактора
by: Асадов, С.К., et al.
Published: (2000)
by: Асадов, С.К., et al.
Published: (2000)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledziuk, et al.
Published: (2013)
by: V. B. Boledziuk, et al.
Published: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2004)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2004)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2003)
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2003)
Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2016)
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2016)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
by: Katerynchuk, V.M., et al.
Published: (2012)
by: Katerynchuk, V.M., et al.
Published: (2012)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
by: Zaslonkin, A.V., et al.
Published: (2008)
by: Zaslonkin, A.V., et al.
Published: (2008)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
by: Мінтянський, І.В., et al.
Published: (2013)
by: Мінтянський, І.В., et al.
Published: (2013)
Особенности низкотемпературных индуцированных магнитным полем переходов порядок–порядок в сплавах системы Feа–хMnхAs при a ≤1,6
by: Асадов, С.К., et al.
Published: (2004)
by: Асадов, С.К., et al.
Published: (2004)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
by: Z. D. Kovaliuk, et al.
Published: (2014)
by: Z. D. Kovaliuk, et al.
Published: (2014)
Similar Items
-
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
by: Мустафаева, С.Н., et al.
Published: (2010) -
Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем
by: Стахира, И.М., et al.
Published: (2012) -
Взаимодействие солитонов с локализованным ВЧ полем
by: Ковалев, А.С., et al.
Published: (2009) -
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
by: Іващишин, Ф.О., et al.
Published: (2017) -
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
by: Bekirov, B.E., et al.
Published: (2018)