Зображення обкладинки

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>

Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Физика низких температур
Дата:	2010
ISSN:	0132-6414
Автори:	Мустафаева, С.Н., Асадов, М.М., Исмайлов, А.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
Теми:	Низкотемпеpатуpный магнетизм
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем
за авторством: Стахира, И.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Взаимодействие солитонов с локализованным ВЧ полем
за авторством: Ковалев, А.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017)

Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: Bekirov, B.E., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах Y₃Fe₅O₁₂
за авторством: Воробьева, Н.В., та інші
Опубліковано: (1999)

Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1998)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитный и резистивный сверхпроводящие переходы в железосодержащих соединениях FeSe и LaOFFeAs
за авторством: Цзян, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2016)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Влияние кислородной нестехиометрии на кристаллическую структуру и магнитные свойства катион-дефицитных манганитов Pr₀,₉MnOx (2,85 < x < 2,90)
за авторством: Мантыцкая, О.С., та інші
Опубліковано: (2006)

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты
за авторством: Красовицкий, Вит.Б., та інші
Опубліковано: (1998)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)

Температурные зависимости проводимости, термоэдс и теплоемкости TlCoS₂
за авторством: Керимова, Э.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Изменение магнитных свойств CoSiF₆×6(H₂O) при структурных превращениях под давлением. Определение g-фактора
за авторством: Асадов, С.К., та інші
Опубліковано: (2000)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности низкотемпературных индуцированных магнитным полем переходов порядок–порядок в сплавах системы Feа–хMnхAs при a ≤1,6
за авторством: Асадов, С.К., та інші
Опубліковано: (2004)

Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2016)

Структурная и магнитная неоднородность, ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La в магниторезистивной керамике La₀,₇Ba₀,₃₋xSnxMnO₃ → La₀,₇₋xBa₀,₃₋xMnO₃ + 0,5x La₂Sn₂O₇
за авторством: Пащенко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
за авторством: Мінтянський, І.В., та інші
Опубліковано: (2013)