Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2010
• Автори: Мустафаева, С.Н., Асадов, М.М., Исмайлов, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117013
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=...