Влияние ведущего электрического поля на плавление 2D электронного кристалла над жидким гелием

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2009
• Main Authors: Наседкин, К.А., Сивоконь, В.Е.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Subjects: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117142
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние ведущего электрического поля на плавление 2D электронного кристалла над жидким гелием / К.А. Наседкин, В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 514-519. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Исследована проводимость двумерной электронной системы поверхностной плотности 8·10⁸ см⁻² и 12·10⁸ см⁻² над поверхностью жидкого гелия вблизи фазового перехода в кристаллическое состояние (вигнеровский кристалл). Измерения проведены в диапазоне частот 3-6 МГц при различных амплитудах ведущего напряжения. Фазовый переход регистрировался по резкому изменению амплитуды и фазы сигнала отклика. Рассчитаны температурные зависимости действительной и мнимой компонент обратной проводимости двумерной электронной системы вблизи температуры плавления. Установлено, что температурные зависимости мнимой части обратной проводимости, отражающие инерционные свойства электронной системы, хорошо совпадают для различных частот возбуждающего сигнала, в то время как действительная компонента, которая характеризует диссипацию, при переходе системы в упорядоченное состояние возрастает с ростом частоты. Обнаружено, что обе компоненты обратной проводимости при переходе в кристаллическое состояние возрастают с ростом ведущего электрического поля. Досліджено провідність двовимірної електронної системи поверхневої щільності 8·10⁸ см⁻² та 12·10⁸ см⁻² над поверхнею рідкого гелію поблизу фазового переходу в кристалічний стан (вігнерівський
 кристал). Виміри проведено в діапазоні частот 3–6 МГц при різних амплітудах провідної напруги. Фазовий перехід реєструвався по різкій зміні амплітуди та фази сигналу відгуку. Розраховано температурні залежності дійсної та уявної компонент зворотної провідності двовимірної електронної системи поблизу
 температури плавлення. Установлено, що температурні залежності уявної частини зворотної провідності,
 що відбивають інерційні властивості електронної системи, добре збігаються для різних частот збуджуючого сигналу, у той час як дійсна компонента, що характеризує дисипацію, при переході системи в упорядкований стан зростає з ростом частоти. Виявлено, що обидві компоненти зворотної провідності при
 переході в кристалічний стан зростають зі збільшенням провідного електричного поля. The conductivity of the 2D electron system (surface
 density 8·10⁸ cm⁻² and 12·10⁸ cm⁻²), over liquid
 helium is studied near the phase transition into a
 crystalline state (Wigner solid). The measurements
 are carried out in the frequency range 3–6 MHz at
 different values of driving voltage. The phase transition
 is observed as an abrupt change of amplitude and
 phase shift in response to ac signal. The temperature
 dependences of the real and imaginary components
 of the inverse conductivity of the 2D electron system
 in the vicinity of melting point are estimated. It is
 found that the temperature dependences of the imaginary
 part of the inverse conductivity, which reflects
 the inertia of the electron system, are the same for
 different frequencies of the exciting signal. At the
 same time, in the ordered state the real component,
 describing the system dissipation, increases with frequency.
 Under the transition in the crystalline state is
 observed the both components of inverse conductivity
 is found to increase with driving electric field.