Электронное допирование NbSe₂

• Опубліковано в: Физика низких температур
• Дата: 2009
• ISSN: 0132-6414
• Автори: Еременко, В.В., Ибулаев, В.В., Сиренко, В.А., Шведун, М.Ю., Куликов, Л.М., Петрусенко, Ю.Т., Борисенко, В.М., Астахов, А.Н., Баранков, Д.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Теми: Кpаткие сообщения
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені
 зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її
 збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110},
 {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах
 опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on
 hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied
 by the methods of x-ray and electron diffraction.
 Detected changes on diffraction patterns are attributed
 to redistribution of electron density under irradiation,
 notably it increases in the planes with close
 packing — basal and prismatic — {110} and {210}.
 The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering
 under high radiation doses is associated with
 increasing of the electronic Fermi-liquid density.