Электронное допирование NbSe₂

Электронное допирование NbSe₂

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2009
Автори: Еременко, В.В., Ибулаев, В.В., Сиренко, В.А., Шведун, М.Ю., Куликов, Л.М., Петрусенко, Ю.Т., Борисенко, В.М., Астахов, А.Н., Баранков, Д.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Теми:
Кpаткие сообщения
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117172
record_format dspace
spelling Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
2017-05-20T11:33:04Z
2017-05-20T11:33:04Z
2009
Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.10.-d, 74.25.Jb.
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.
Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини.
The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density.
Исследования проведены в рамках проекта №4119 и финансировались НАНУ и УНТЦ. Авторы выражают благодарность к.ф.-м.н., н.с. А.В. Котко (Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины) за выполнение электронографии.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Кpаткие сообщения
Электронное допирование NbSe₂
Electron doping of the NbSe₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электронное допирование NbSe₂
spellingShingle Электронное допирование NbSe₂
Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
Кpаткие сообщения
title_short Электронное допирование NbSe₂
title_full Электронное допирование NbSe₂
title_fullStr Электронное допирование NbSe₂
title_full_unstemmed Электронное допирование NbSe₂
title_sort электронное допирование nbse₂
author Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
author_facet Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
topic Кpаткие сообщения
topic_facet Кpаткие сообщения
publishDate 2009
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Electron doping of the NbSe₂
description Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172
citation_txt Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT eremenkovv élektronnoedopirovanienbse2
AT ibulaevvv élektronnoedopirovanienbse2
AT sirenkova élektronnoedopirovanienbse2
AT švedunmû élektronnoedopirovanienbse2
AT kulikovlm élektronnoedopirovanienbse2
AT petrusenkoût élektronnoedopirovanienbse2
AT borisenkovm élektronnoedopirovanienbse2
AT astahovan élektronnoedopirovanienbse2
AT barankovdû élektronnoedopirovanienbse2
AT eremenkovv electrondopingofthenbse2
AT ibulaevvv electrondopingofthenbse2
AT sirenkova electrondopingofthenbse2
AT švedunmû electrondopingofthenbse2
AT kulikovlm electrondopingofthenbse2
AT petrusenkoût electrondopingofthenbse2
AT borisenkovm electrondopingofthenbse2
AT astahovan electrondopingofthenbse2
AT barankovdû electrondopingofthenbse2
first_indexed 2025-12-07T16:01:30Z
last_indexed 2025-12-07T16:01:30Z
_version_ 1850865919014731776

Схожі ресурси