Электронное допирование NbSe₂
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862685472867745792 |
|---|---|
| author | Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. |
| author_facet | Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. |
| citation_txt | Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.
Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені
зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її
збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110},
{210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах
опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини.
The influence of fast electrons irradiation on
hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied
by the methods of x-ray and electron diffraction.
Detected changes on diffraction patterns are attributed
to redistribution of electron density under irradiation,
notably it increases in the planes with close
packing — basal and prismatic — {110} and {210}.
The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering
under high radiation doses is associated with
increasing of the electronic Fermi-liquid density.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:01:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117172 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:01:30Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. 2017-05-20T11:33:04Z 2017-05-20T11:33:04Z 2009 Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.-d, 74.25.Jb. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172 Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені
 зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її
 збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110},
 {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах
 опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on
 hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied
 by the methods of x-ray and electron diffraction.
 Detected changes on diffraction patterns are attributed
 to redistribution of electron density under irradiation,
 notably it increases in the planes with close
 packing — basal and prismatic — {110} and {210}.
 The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering
 under high radiation doses is associated with
 increasing of the electronic Fermi-liquid density. Исследования проведены в рамках проекта №4119
 и финансировались НАНУ и УНТЦ.
 Авторы выражают благодарность к.ф.-м.н., н.с. А.В.
 Котко (Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины) за выполнение электронографии. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Кpаткие сообщения Электронное допирование NbSe₂ Electron doping of the NbSe₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Электронное допирование NbSe₂ Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. Кpаткие сообщения |
| title | Электронное допирование NbSe₂ |
| title_alt | Electron doping of the NbSe₂ |
| title_full | Электронное допирование NbSe₂ |
| title_fullStr | Электронное допирование NbSe₂ |
| title_full_unstemmed | Электронное допирование NbSe₂ |
| title_short | Электронное допирование NbSe₂ |
| title_sort | электронное допирование nbse₂ |
| topic | Кpаткие сообщения |
| topic_facet | Кpаткие сообщения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172 |
| work_keys_str_mv | AT eremenkovv élektronnoedopirovanienbse2 AT ibulaevvv élektronnoedopirovanienbse2 AT sirenkova élektronnoedopirovanienbse2 AT švedunmû élektronnoedopirovanienbse2 AT kulikovlm élektronnoedopirovanienbse2 AT petrusenkoût élektronnoedopirovanienbse2 AT borisenkovm élektronnoedopirovanienbse2 AT astahovan élektronnoedopirovanienbse2 AT barankovdû élektronnoedopirovanienbse2 AT eremenkovv electrondopingofthenbse2 AT ibulaevvv electrondopingofthenbse2 AT sirenkova electrondopingofthenbse2 AT švedunmû electrondopingofthenbse2 AT kulikovlm electrondopingofthenbse2 AT petrusenkoût electrondopingofthenbse2 AT borisenkovm electrondopingofthenbse2 AT astahovan electrondopingofthenbse2 AT barankovdû electrondopingofthenbse2 |