Электронное допирование NbSe₂ - Еременко, В.В.; Ибулаев, В.В.; Сиренко, В.А.; Шведун, М.Ю.; Куликов, Л.М.; Петрусенко, Ю.Т.; Борисенко, В.М.; Астахов, А.Н.; Баранков, Д.Ю. (Физика низких температур, 2009)
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені
зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її
збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110},
{210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах
опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on
hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied
by the methods of x-ray and electron diffraction.
Detected changes on diffraction patterns are attributed
to redistribution of electron density under irradiation,
notably it increases in the planes with close
packing — basal and prismatic — {110} and {210}.
The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering
under high radiation doses is associated with
increasing of the electronic Fermi-liquid density.