Электронное допирование NbSe₂

Электронное допирование NbSe₂

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2009
Main Authors: Еременко, В.В., Ибулаев, В.В., Сиренко, В.А., Шведун, М.Ю., Куликов, Л.М., Петрусенко, Ю.Т., Борисенко, В.М., Астахов, А.Н., Баранков, Д.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Subjects:
Кpаткие сообщения
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117172
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items