Кинетика формирования тока в молекулярном диоде

Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе
 «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUM...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2012
Main Authors: Петров, Э.Г., Леонов, В.А., Шевченко, Е.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117190
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862634374195838976
author Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
author_facet Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
citation_txt Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе
 «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO–LUMO модели молекулы рассмотрена ситуация, когда образование токов вызвано
 фотовозбуждением молекулы либо изменением разности потенциалов на электродах. Выяснена определяющая роль неупругого дистанционного (туннельного) переноса электронов в изменении электронного
 состояния молекулы и, как следствие, в формировании трансмиссионных каналов для прыжковых (последовательных) и туннельных (дистанционных) компонент тока. Эффект неупругого туннелирования
 особенно заметен в условиях резонансной трансмиссии электронов. Використовуючи кінетичну теорію електронного транспорту в низькорозмірних молекулярних системах, проведено дослідження процесу формування перехідних і стаціонарних струмів у системі «електрод 1–молекула–електрод 2» (молекулярний діод) для різних режимів зарядової трансмісії. У рамках
 HUMO–LUMO моделі молекули розглянуто ситуацію, коли утворення струмів викликано фотозбудженням молекули або зміною різниці потенціалів на електродах. З'ясовано визначальну роль непружного
 дистанційного (тунельного) перенесення електронів у зміні електронного стану молекули і, як наслідок,
 у формуванні трансмісійних каналів для стрибкових (послідовних) і тунельних (дистанційних) компонент струму. Ефект непружного тунелювання особливо помітний в умовах резонансної трансмісії електронів. Based on the kinetic theory of election transfer in
 low-dimensional molecular systems, the formation of
 transient and stationary currents in a system “electrode
 l–molecule–electrode 2” (molecular diode) is studied
 for different regimes of charge transmission. In the
 framework of the HOMO–LUMO molecular model, a
 situation is considered where the current formation is
 initiated either by molecule photoexcitation or by
 change of interelectrode voltage bias. It is found that
 the distant (tunnel) inelastic electron transfer plays a
 crucial role in changing molecular electronic states
 and, as a result, in generating transmission channels
 for hopping (sequential) and distant (direct) current
 components. The effect of inelastic tunneling is especially
 pronounced in the condition of resonant electron
 transmission.
first_indexed 2025-11-30T16:02:37Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117190
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-11-30T16:02:37Z
publishDate 2012
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
2017-05-20T17:00:18Z
2017-05-20T17:00:18Z
2012
Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 05.60.Gg, 73.63.Nm, 85.65.+h
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117190
Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе
 «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO–LUMO модели молекулы рассмотрена ситуация, когда образование токов вызвано
 фотовозбуждением молекулы либо изменением разности потенциалов на электродах. Выяснена определяющая роль неупругого дистанционного (туннельного) переноса электронов в изменении электронного
 состояния молекулы и, как следствие, в формировании трансмиссионных каналов для прыжковых (последовательных) и туннельных (дистанционных) компонент тока. Эффект неупругого туннелирования
 особенно заметен в условиях резонансной трансмиссии электронов.
Використовуючи кінетичну теорію електронного транспорту в низькорозмірних молекулярних системах, проведено дослідження процесу формування перехідних і стаціонарних струмів у системі «електрод 1–молекула–електрод 2» (молекулярний діод) для різних режимів зарядової трансмісії. У рамках
 HUMO–LUMO моделі молекули розглянуто ситуацію, коли утворення струмів викликано фотозбудженням молекули або зміною різниці потенціалів на електродах. З'ясовано визначальну роль непружного
 дистанційного (тунельного) перенесення електронів у зміні електронного стану молекули і, як наслідок,
 у формуванні трансмісійних каналів для стрибкових (послідовних) і тунельних (дистанційних) компонент струму. Ефект непружного тунелювання особливо помітний в умовах резонансної трансмісії електронів.
Based on the kinetic theory of election transfer in
 low-dimensional molecular systems, the formation of
 transient and stationary currents in a system “electrode
 l–molecule–electrode 2” (molecular diode) is studied
 for different regimes of charge transmission. In the
 framework of the HOMO–LUMO molecular model, a
 situation is considered where the current formation is
 initiated either by molecule photoexcitation or by
 change of interelectrode voltage bias. It is found that
 the distant (tunnel) inelastic electron transfer plays a
 crucial role in changing molecular electronic states
 and, as a result, in generating transmission channels
 for hopping (sequential) and distant (direct) current
 components. The effect of inelastic tunneling is especially
 pronounced in the condition of resonant electron
 transmission.
Работа выполнена при частичной поддержке проекта М/91-210.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства проводящих систем
Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
Article
published earlier
spellingShingle Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
Электронные свойства проводящих систем
title Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_full Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_fullStr Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_full_unstemmed Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_short Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_sort кинетика формирования тока в молекулярном диоде
topic Электронные свойства проводящих систем
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117190
work_keys_str_mv AT petrovég kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode
AT leonovva kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode
AT ševčenkoev kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode