Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2012
• Main Authors: Бурма, Н.Г., Авраменко, Ю.А., Петришин, А.И., Филь, В.Д.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
• Subjects: Электронные свойства проводящих систем
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117191
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия / Н.Г. Бурма, Ю.А. Авраменко, А.И. Петришин, В.Д. Филь // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 560-565. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

В вольфраме и галлии исследованы особенности в угловых зависимостях фермиевской скорости носителей заряда, связанные с резонансным электрон-фононным взаимодействием. Особенности проявлялись в значительном, не менее чем в 1,5 раза, уменьшении скорости в направлении нормалей к уплощенным участкам поверхности Ферми этих металлов и в значительно меньшем, порядка 5%, уменьшении скорости на поверхности Ферми типа цилиндра. У вольфрамі та галлії досліджено особливості в кутовій залежності ферміївської швидкості носіїв заряду, які пов’язані з резонансною електрон-фононною взаємодією. Особливості проявлялися у значному, не менш ніж в 1,5 рази, зменшенні швидкості у напрямку нормалей до сплощених ділянок поверхні Фермі цих металів та в значно меншому, близько 5%, зменшенні швидкості на поверхні Фермі типа циліндра. The particularities of the angle dependences of Fermi velocity caused by resonance electron–phonon interaction in tungsten and gallium were investigated. The peculiarities manifest themselves as a considerable (∼1.5 times), decrease of Fermi velocity along the normals to the plane-like parts of the Fermi surfaces and as a much more smaller (∼5%) reduction of the velocity on a cylinder-like Fermi surface.