Симметрия и магнитоэлектрические взаимодействия в BaMnF₄

На основе симметрийного анализа теоретически исследованы магнитная анизотропия и магнитоэлектрические взаимодействия в сегнетоэлектричеcком антиферромагнетике BaMnF₄. Показано, что симметрия допускает существование в этом материале неоднородного магнитоэлектрического взаимодействия (флексомагнитоэле...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Звездин, А.К., Пятаков, А.П.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
Schriftenreihe:Физика низких температур
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117197
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Симметрия и магнитоэлектрические взаимодействия в BaMnF₄ / А.К. Звездин, А.П. Пятак // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 6. — С. 665–672. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:На основе симметрийного анализа теоретически исследованы магнитная анизотропия и магнитоэлектрические взаимодействия в сегнетоэлектричеcком антиферромагнетике BaMnF₄. Показано, что симметрия допускает существование в этом материале неоднородного магнитоэлектрического взаимодействия (флексомагнитоэлектрического типа) со специфической зависимостью от величины и ориентации внешнего магнитного поля. Это взаимодействие с ростом поля может обеспечить фазовый переход в магнитную несоразмерную фазу с характерным скачком электрической поляризации. Рассмотрены линейный и квадратичный магнитоэлектрические эффекты и вопрос о релятивистском скосе подрешеток, обусловленном магнитоэлектрическим взаимодействием. Предлагаемый подход является естественным обобщением метода построения инвариантов из магнитных мод кристалла на случай фазовых переходов с удвоением элементарной ячейки кристалла и может быть применен для симметрийного анализа других сегнетомагнитных соединений.