О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2012
• Автор: Тимофеев, В.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
• Теми: Оптика и магнитооптика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117241
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных
 полупроводниковых гетероструктурах / В.Б. Тимофеев // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 7. — С. 693-702. — Бібліогр.: 49 назв. — рос.

Обсуждаются две полупроводниковые системы, в которых наблюдается бозеонденсация экситонов:
 квантовые ямы с пространственно непрямыми, диполярными экситонами и экситонные поляритоны в
 полупроводниковых микрорезонаторах. Обговорюються дві напівпровідникові системи, в яких спостерігається бозе-конденсація екситонів:
 квантові ями з просторово непрямими, диполярними екситонами та екситонні поляритони в напівпровідникових мікрорезонаторах. The review concerns on two semiconductor systems
 which exhibit the Bose condensation of excitons,
 namely, quantum wells with spatiallyindirect dipolar
 excitons and excitonic polaritons, in semiconductor
 microresonators.