Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Ткач, Н.В., Сети, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Электронные свойства проводящих систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117259
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах / Н.В. Ткач, Ю.А. Сети // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 7. — С. 710-720. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

В модели эффективных масс и симметричных прямоугольных потенциальных барьеров для электрона в плоской трехбарьерной структуре развита теория эволюции и коллапса пар резонансов из-за изменения мощности (толщины) внутреннего барьера. Аналитический и численный расчеты спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) выполняются методом коэффициента прозрачности и функции распределения вероятности с использованием трансфер-матрицы и S-матрицы рассеяния. Показано, что в симметричной трехбарьерной структуре коллапс резонансных энергий и ширин всех квазистационарных состояний происходит практически при одинаковых значениях толщин внутренних барьеров, несколько превышающих суммарную толщину внешних. Установлено, что по отношению к модели прямоугольных барьеров δ-модель завышает значения резонансных энергий на десятки процентов, а резонансные ширины почти в два раза.