Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах

В модели эффективных масс и симметричных прямоугольных потенциальных барьеров для электрона в плоской трехбарьерной структуре развита теория эволюции и коллапса пар резонансов из-за изменения мощности (толщины) внутреннего барьера. Аналитический и численный расчеты спектральных параметров (резонансн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2009
Hauptverfasser: Ткач, Н.В., Сети, Ю.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117259
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах / Н.В. Ткач, Ю.А. Сети // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 7. — С. 710-720. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862578747970945024
author Ткач, Н.В.
Сети, Ю.А.
author_facet Ткач, Н.В.
Сети, Ю.А.
citation_txt Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах / Н.В. Ткач, Ю.А. Сети // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 7. — С. 710-720. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description В модели эффективных масс и симметричных прямоугольных потенциальных барьеров для электрона в плоской трехбарьерной структуре развита теория эволюции и коллапса пар резонансов из-за изменения мощности (толщины) внутреннего барьера. Аналитический и численный расчеты спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) выполняются методом коэффициента прозрачности и функции распределения вероятности с использованием трансфер-матрицы и S-матрицы рассеяния. Показано, что в симметричной трехбарьерной структуре коллапс резонансных энергий и ширин всех квазистационарных состояний происходит практически при одинаковых значениях толщин внутренних барьеров, несколько превышающих суммарную толщину внешних. Установлено, что по отношению к модели прямоугольных барьеров δ-модель завышает значения резонансных энергий на десятки процентов, а резонансные ширины почти в два раза. У моделі ефективних мас і симетричних прямокутних потенційних бар’єрів для електрона в плоскій
 трибар’єрній структурі розвинено теорію еволюції та колапсу пар резонансів через зміну потужності
 (товщини) внутрішнього бар’єра. Аналітичний та чисельний розрахунки спектральних параметрів (резонансних енергій та ширин) виконуються методом коефіцієнта прозорості та функції розподілу
 ймовірності з використанням трансфер-матриці та S-матриці розсіювання. Показано, що в симетричній
 трибар’єрній структурі колапс резонансних енергій та ширин всіх квазістаціонарних станів відбувається практично при однакових значеннях товщин внутрішніх бар’єрів, що трохи перевищують сумарну товщину зовнішніх. Встановлено, що по відношенню до моделі прямокутних бар’єрів δ-модель
 завищує значення резонансних енергій на десятки відсотків, а резонансні ширини майже у два рази. A theory of evolution and collapse of resonance
 pairs due to variations in inner barrier strength
 (thickness) is developed by using the model of effective
 masses and symmetric rectangular potential
 barriers for an electron in the plane three-barrier
 structure. The analytical and numerical calculations
 of spectral parameters (resonance energy and
 width) are performed with the use of transparent
 coefficient and probability distribution function
 within the transfer matrix and scattering S-matrix.
 It is shown that the collapse of resonance energies
 and widths of all quasi-stationary states in the symmetric
 three-barrier structure happens almost at the
 same values of inner barrier width, which are
 somewhat larger than the sum of outer thicknesses.
 It is found that the δ-model as compared to the rectangular
 barrier one, gives much higher values of
 resonance energies (by the order of percents) and
 resonance widths (almost twice).
first_indexed 2025-11-26T17:39:18Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117259
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-11-26T17:39:18Z
publishDate 2009
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Ткач, Н.В.
Сети, Ю.А.
2017-05-21T16:46:32Z
2017-05-21T16:46:32Z
2009
Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах / Н.В. Ткач, Ю.А. Сети // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 7. — С. 710-720. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.21.Fg, 73.90.+f
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117259
В модели эффективных масс и симметричных прямоугольных потенциальных барьеров для электрона в плоской трехбарьерной структуре развита теория эволюции и коллапса пар резонансов из-за изменения мощности (толщины) внутреннего барьера. Аналитический и численный расчеты спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) выполняются методом коэффициента прозрачности и функции распределения вероятности с использованием трансфер-матрицы и S-матрицы рассеяния. Показано, что в симметричной трехбарьерной структуре коллапс резонансных энергий и ширин всех квазистационарных состояний происходит практически при одинаковых значениях толщин внутренних барьеров, несколько превышающих суммарную толщину внешних. Установлено, что по отношению к модели прямоугольных барьеров δ-модель завышает значения резонансных энергий на десятки процентов, а резонансные ширины почти в два раза.
У моделі ефективних мас і симетричних прямокутних потенційних бар’єрів для електрона в плоскій
 трибар’єрній структурі розвинено теорію еволюції та колапсу пар резонансів через зміну потужності
 (товщини) внутрішнього бар’єра. Аналітичний та чисельний розрахунки спектральних параметрів (резонансних енергій та ширин) виконуються методом коефіцієнта прозорості та функції розподілу
 ймовірності з використанням трансфер-матриці та S-матриці розсіювання. Показано, що в симетричній
 трибар’єрній структурі колапс резонансних енергій та ширин всіх квазістаціонарних станів відбувається практично при однакових значеннях товщин внутрішніх бар’єрів, що трохи перевищують сумарну товщину зовнішніх. Встановлено, що по відношенню до моделі прямокутних бар’єрів δ-модель
 завищує значення резонансних енергій на десятки відсотків, а резонансні ширини майже у два рази.
A theory of evolution and collapse of resonance
 pairs due to variations in inner barrier strength
 (thickness) is developed by using the model of effective
 masses and symmetric rectangular potential
 barriers for an electron in the plane three-barrier
 structure. The analytical and numerical calculations
 of spectral parameters (resonance energy and
 width) are performed with the use of transparent
 coefficient and probability distribution function
 within the transfer matrix and scattering S-matrix.
 It is shown that the collapse of resonance energies
 and widths of all quasi-stationary states in the symmetric
 three-barrier structure happens almost at the
 same values of inner barrier width, which are
 somewhat larger than the sum of outer thicknesses.
 It is found that the δ-model as compared to the rectangular
 barrier one, gives much higher values of
 resonance energies (by the order of percents) and
 resonance widths (almost twice).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства проводящих систем
Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
Evolution and collapse of electron quasi-stationary states in plane symmetric three-barrier resonance-tunnel structures
Article
published earlier
spellingShingle Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
Ткач, Н.В.
Сети, Ю.А.
Электронные свойства проводящих систем
title Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
title_alt Evolution and collapse of electron quasi-stationary states in plane symmetric three-barrier resonance-tunnel structures
title_full Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
title_fullStr Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
title_full_unstemmed Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
title_short Эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
title_sort эволюция и коллапс квазистационарных состояний электрона в плоских симметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структурах
topic Электронные свойства проводящих систем
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117259
work_keys_str_mv AT tkačnv évolûciâikollapskvazistacionarnyhsostoâniiélektronavploskihsimmetričnyhtrehbarʹernyhrezonansnotunnelʹnyhstrukturah
AT setiûa évolûciâikollapskvazistacionarnyhsostoâniiélektronavploskihsimmetričnyhtrehbarʹernyhrezonansnotunnelʹnyhstrukturah
AT tkačnv evolutionandcollapseofelectronquasistationarystatesinplanesymmetricthreebarrierresonancetunnelstructures
AT setiûa evolutionandcollapseofelectronquasistationarystatesinplanesymmetricthreebarrierresonancetunnelstructures