Наноконтактный спин-электрический эффект

Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала.
 Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную
 магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря&#x...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2008
Hauptverfasser: Гуржи, Р.Н., Калиненко, А.Н., Копелиович, А.И., Яновский, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862733286780960768
author Гуржи, Р.Н.
Калиненко, А.Н.
Копелиович, А.И.
Яновский, А.В.
author_facet Гуржи, Р.Н.
Калиненко, А.Н.
Копелиович, А.И.
Яновский, А.В.
citation_txt Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала.
 Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную
 магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря
 тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение
 спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя
 на N–M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный
 эффект может быть использован как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в
 немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с
 легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках. Передбачено ефект перетворення спінового сигналу в зміну електричного потенціалу. Ефект виника
 є при проникненні спін-поляризованих електронів з немагнітного ланцюга N у намагнічену
 магнітну приставку M із зеєманівським розщепленням електронного спектра. Завдяки тому, що M має
 підвищену щільність станів спінів одного з напрямків, проникнення спін-поляризованих електронів в
 M призводить до виникнення подвійного електричного шару на N–M границі, a отже, до стрибка
 електричного потенціалу між M і N. Передвіщений ефект може бути використано як метод безпосереднього
 детектування спінового сигналу в немагнітних металах і напівпровідниках, а також для
 рішення ряду задач спінтроніки у зв'язку з легкістю керування електричним полем струмами в напівпров
 ідниках. The effect of spin signal transformation to a
 change of electric potential has been predicted. The
 effect arises at penetration of spin-polarized electrons
 from nonmagnetic circuit N to magnetized
 magnetic attachment M with Zeeman splitting of
 the electron spectrum. The penetration of spin-polarized
 electrons to M results to a formation of double
 electric layer at M–N interface and consequently
 to electric potential discontinuous jump
 between M and N due to the fact that M has higher
 density of states of certain spin direction. The predicted
 effect may be used a a method of direct spin
 signal detection in nonmagnetic metals and semiconductors
 as well as solution of some spiutronic
 problems in view of ease control of currents in
 semiconductors by electric field.
first_indexed 2025-12-07T19:36:22Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117338
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:36:22Z
publishDate 2008
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Гуржи, Р.Н.
Калиненко, А.Н.
Копелиович, А.И.
Яновский, А.В.
2017-05-22T14:23:50Z
2017-05-22T14:23:50Z
2008
Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.25.Hg;72.25.Mk;73.40.Sx;73.61.Ga
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338
Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала.
 Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную
 магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря
 тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение
 спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя
 на N–M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный
 эффект может быть использован как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в
 немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с
 легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках.
Передбачено ефект перетворення спінового сигналу в зміну електричного потенціалу. Ефект виника
 є при проникненні спін-поляризованих електронів з немагнітного ланцюга N у намагнічену
 магнітну приставку M із зеєманівським розщепленням електронного спектра. Завдяки тому, що M має
 підвищену щільність станів спінів одного з напрямків, проникнення спін-поляризованих електронів в
 M призводить до виникнення подвійного електричного шару на N–M границі, a отже, до стрибка
 електричного потенціалу між M і N. Передвіщений ефект може бути використано як метод безпосереднього
 детектування спінового сигналу в немагнітних металах і напівпровідниках, а також для
 рішення ряду задач спінтроніки у зв'язку з легкістю керування електричним полем струмами в напівпров
 ідниках.
The effect of spin signal transformation to a
 change of electric potential has been predicted. The
 effect arises at penetration of spin-polarized electrons
 from nonmagnetic circuit N to magnetized
 magnetic attachment M with Zeeman splitting of
 the electron spectrum. The penetration of spin-polarized
 electrons to M results to a formation of double
 electric layer at M–N interface and consequently
 to electric potential discontinuous jump
 between M and N due to the fact that M has higher
 density of states of certain spin direction. The predicted
 effect may be used a a method of direct spin
 signal detection in nonmagnetic metals and semiconductors
 as well as solution of some spiutronic
 problems in view of ease control of currents in
 semiconductors by electric field.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Наноконтактный спин-электрический эффект
Nanocontact spin-electric effect
Article
published earlier
spellingShingle Наноконтактный спин-электрический эффект
Гуржи, Р.Н.
Калиненко, А.Н.
Копелиович, А.И.
Яновский, А.В.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title Наноконтактный спин-электрический эффект
title_alt Nanocontact spin-electric effect
title_full Наноконтактный спин-электрический эффект
title_fullStr Наноконтактный спин-электрический эффект
title_full_unstemmed Наноконтактный спин-электрический эффект
title_short Наноконтактный спин-электрический эффект
title_sort наноконтактный спин-электрический эффект
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338
work_keys_str_mv AT guržirn nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt
AT kalinenkoan nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt
AT kopeliovičai nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt
AT ânovskiiav nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt
AT guržirn nanocontactspinelectriceffect
AT kalinenkoan nanocontactspinelectriceffect
AT kopeliovičai nanocontactspinelectriceffect
AT ânovskiiav nanocontactspinelectriceffect