Наноконтактный спин-электрический эффект
Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала. Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря тому, что M имеет пов...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117338 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гуржи, Р.Н. Калиненко, А.Н. Копелиович, А.И. Яновский, А.В. 2017-05-22T14:23:50Z 2017-05-22T14:23:50Z 2008 Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.25.Hg;72.25.Mk;73.40.Sx;73.61.Ga https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338 Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала. Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя на N–M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный эффект может быть использован как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках. Передбачено ефект перетворення спінового сигналу в зміну електричного потенціалу. Ефект виника є при проникненні спін-поляризованих електронів з немагнітного ланцюга N у намагнічену магнітну приставку M із зеєманівським розщепленням електронного спектра. Завдяки тому, що M має підвищену щільність станів спінів одного з напрямків, проникнення спін-поляризованих електронів в M призводить до виникнення подвійного електричного шару на N–M границі, a отже, до стрибка електричного потенціалу між M і N. Передвіщений ефект може бути використано як метод безпосереднього детектування спінового сигналу в немагнітних металах і напівпровідниках, а також для рішення ряду задач спінтроніки у зв'язку з легкістю керування електричним полем струмами в напівпров ідниках. The effect of spin signal transformation to a change of electric potential has been predicted. The effect arises at penetration of spin-polarized electrons from nonmagnetic circuit N to magnetized magnetic attachment M with Zeeman splitting of the electron spectrum. The penetration of spin-polarized electrons to M results to a formation of double electric layer at M–N interface and consequently to electric potential discontinuous jump between M and N due to the fact that M has higher density of states of certain spin direction. The predicted effect may be used a a method of direct spin signal detection in nonmagnetic metals and semiconductors as well as solution of some spiutronic problems in view of ease control of currents in semiconductors by electric field. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Наноконтактный спин-электрический эффект Nanocontact spin-electric effect Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Наноконтактный спин-электрический эффект |
| spellingShingle |
Наноконтактный спин-электрический эффект Гуржи, Р.Н. Калиненко, А.Н. Копелиович, А.И. Яновский, А.В. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title_short |
Наноконтактный спин-электрический эффект |
| title_full |
Наноконтактный спин-электрический эффект |
| title_fullStr |
Наноконтактный спин-электрический эффект |
| title_full_unstemmed |
Наноконтактный спин-электрический эффект |
| title_sort |
наноконтактный спин-электрический эффект |
| author |
Гуржи, Р.Н. Калиненко, А.Н. Копелиович, А.И. Яновский, А.В. |
| author_facet |
Гуржи, Р.Н. Калиненко, А.Н. Копелиович, А.И. Яновский, А.В. |
| topic |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Nanocontact spin-electric effect |
| description |
Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала.
Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную
магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря
тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение
спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя
на N–M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный
эффект может быть использован как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в
немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с
легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках.
Передбачено ефект перетворення спінового сигналу в зміну електричного потенціалу. Ефект виника
є при проникненні спін-поляризованих електронів з немагнітного ланцюга N у намагнічену
магнітну приставку M із зеєманівським розщепленням електронного спектра. Завдяки тому, що M має
підвищену щільність станів спінів одного з напрямків, проникнення спін-поляризованих електронів в
M призводить до виникнення подвійного електричного шару на N–M границі, a отже, до стрибка
електричного потенціалу між M і N. Передвіщений ефект може бути використано як метод безпосереднього
детектування спінового сигналу в немагнітних металах і напівпровідниках, а також для
рішення ряду задач спінтроніки у зв'язку з легкістю керування електричним полем струмами в напівпров
ідниках.
The effect of spin signal transformation to a
change of electric potential has been predicted. The
effect arises at penetration of spin-polarized electrons
from nonmagnetic circuit N to magnetized
magnetic attachment M with Zeeman splitting of
the electron spectrum. The penetration of spin-polarized
electrons to M results to a formation of double
electric layer at M–N interface and consequently
to electric potential discontinuous jump
between M and N due to the fact that M has higher
density of states of certain spin direction. The predicted
effect may be used a a method of direct spin
signal detection in nonmagnetic metals and semiconductors
as well as solution of some spiutronic
problems in view of ease control of currents in
semiconductors by electric field.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117338 |
| citation_txt |
Наноконтактный спин-электрический эффект / Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 7. — С. 677–680 — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT guržirn nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt AT kalinenkoan nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt AT kopeliovičai nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt AT ânovskiiav nanokontaktnyispinélektričeskiiéffekt AT guržirn nanocontactspinelectriceffect AT kalinenkoan nanocontactspinelectriceffect AT kopeliovičai nanocontactspinelectriceffect AT ânovskiiav nanocontactspinelectriceffect |
| first_indexed |
2025-12-07T19:36:22Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:36:22Z |
| _version_ |
1850879437423247360 |