Сверхпроводимость электрон-дырочных пар в двухслойной графеновой системе в квантующем магнитном поле

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2009
• Main Authors: Филь, Д.В., Кравченко, Л.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Subjects: Электронные свойства проводящих систем
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117349
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Сверхпроводимость электрон-дырочных пар в двухслойной графеновой системе в квантующем магнитном поле / Д.В. Филь, Л.Ю. Кравченко // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 8-9. — С. 904-918. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.

Изучено состояние со спонтанной межслоевой фазовой когерентностью в двухслойной квантовой холловской системе на основе графена. Данное состояние можно рассматривать как газ сверхтекучих электрон-дырочных пар с компонентами пары, принадлежащими разным слоям. Сверхтекучий поток таких пар эквивалентен двум электрическим сверхтокам в слоях. Показано, что в графеновой системе состояние с межслоевой фазовой когерентностью возникает, если создан определенный разбаланс факторов заполнения уровней Ландау в соседних слоях. Найдены температура перехода в сверхтекучее состояние, максимальное расстояние между слоями, при котором возможна фазовая когерентность, а также критические значения сверхтока. Обсуждаются преимущества использования графеновых систем вместо GaAs гетероструктур для реализации двухслоевой электрон-дырочной сверхпроводимости. Вивчено стан зі спонтанною міжшаровою фазовою когерентністю у двошаровій квантовій холлівській системі на основі графену. Даний стан можна розглядати як газ надплинних електрон-діркових пар з
 компонентами пари, які належать різним шарам. Надплинний потік таких пар еквівалентний двом
 електричним надструмам у шарах. Показано, що в графеновій системі стан з міжшаровою фазовою
 когерентністю виникає, якщо створено певний розбаланс факторів заповнення рівнів Ландау у сусідніх шарах. Знайдено температуру переходу у надплинний стан, максимальну відстань між шарами,
 при якій можлива фазова когерентність, а також критичні значення надструму. Обговорюються переваги використання графенових систем замість GaAs гетероструктур для реалізації двошарової електрон-діркової надпровідності. The state with a spontaneous interlayer phase
 coherence in a graphene based bilayer quantum Hall
 system is studied. This state can be considered as
 a gas of superfluid electron-hole pairs with the components
 of the pair belonging to different layers.
 Superfluid flux of such pairs is equivalent to two
 electrical supercurrents in the layers. It is shown that
 the state with the interlayer phase coherence emerges
 in the graphene system if a certain imbalance of the
 Landau level filling factors of the layers is created.
 We obtain the temperature of transition into the superfluid
 state, the maximum interlayer distance at
 which the phase coherence is possible, and the critical
 values of the supercurrent. The advantages of use
 of graphene systems instead of GaAs heterostructures
 for the realization of the bilayer electron-hole superconductivity
 are discussed.