Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2010
• ISSN: 0132-6414
• Main Authors: Мустафаева, С.Н., Асадов, М.М., Исмайлов, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
• Subjects: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117371
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 7. — С. 805–808. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплот...