Проводимость квазиодномерной электронной системы над жидким гелием при наличии неоднородного потенциала

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Смородин, А.В., Николаенко, В.А., Соколов, С.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Schlagworte: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117386
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Проводимость квазиодномерной электронной
 системы над жидким гелием при наличии
 неоднородного потенциала / А.В. Смородин, В.А. Николаенко, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 751–760. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Проведены экспериментальные исследования проводимости поверхностных электронов в каналах,
 заполненных жидким гелием на поверхности профилированной подложки. Установлено, что характер зависимости
 проводимости от прижимающего электрического поля, нормального поверхности гелия, сильно
 зависит от качества подложки. При ухудшении этого качества на полевой зависимости проводимости
 появляются характерные аномалии (провалы) при определенных значениях прижимающего потенциала.
 Положение аномалий не зависит от температуры, амплитуды и частоты возбуждающего потенциала.
 Предложены модели для качественного объяснения наблюдавшихся зависимостей. Исследована также
 температурная зависимость проводимости при больших концентрациях заряда на подложке. Проведено експериментальні дослідження провідності поверхневих електронів у каналах, які заповнен
 і рідким гелієм на поверхні профільованої підкладки. Встановлено, що характер залежності
 провідності від електричного поля, що притискає, нормального поверхні гелію, сильно залежить від
 якості підкладки. При погіршенні цієї якості на польовій залежності провідності з’являються характерн
 і аномалії (провали) при певних значеннях потенціалу, що притискає. Положення аномалій не залежить
 від температури, амплітуди й частоти збуджуючого потенціалу. Запропоновано моделі для
 якісного пояснення залежностей, що спостерігалися. Досліджено також температурну залежність
 провідності при великих концентраціях заряду на підкладці. The surface electron conductivity in channels
 filled by liquid helium covering a profiled substrate
 is measured. It is found that the behavior of
 the conductivity dependence on holding electric
 field normal to helium sutface, depend strongly on
 the substrate quality. With deteriorating the quality,
 the field dependence of conductivity exhibits the specific anomalies (dips) for some values of
 holding potential. The anomaly positions do not depend
 on temperature, amplitude, and frequency of
 exciting potential. Models are proposed for qualitative
 explanation of the dependences observed. The
 temperature dependence of conductivity is studied
 at high charge concentrations on the substrate.