Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2008
• Main Author: Кузьменко, В.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние полупроводникового покрытия на
 электроперенос в аморфных и кристаллических
 пленках металлов
 / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.

Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
 пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
 зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
 к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
 электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
 сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
 При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
 за изменение ρ. Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V,
 Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття
 на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен
 і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з
 аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц
 іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон
 ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ. The influence of an amorphous Sb-coating on
 resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of
 V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions
 of V and Bi the values decrease, while for
 Yb they increase. The influence of the coating on ρ
 is limited by its thickness dcov
 d⁰cov=10–60 nm, depending
 on kind and phase condition of the base metal. An
 increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov
 does not result in a further change ρ. The observed
 changes in ρ are attributed to the transfer of a part of
 the electrons from amorphous antimony to Bi and V,
 and from amorphous and crystalline films of Yb to
 amorphous antimony. In such cases a contact potential
 between layers of a metal and the semiconductor
 is formed, and the density of states of metal conduction
 electrons is changed implying for change of ρ.