Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов
Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
 пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
 зависящей от вида и...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние полупроводникового покрытия на
 электроперенос в аморфных и кристаллических
 пленках металлов
 / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725955441655808 |
|---|---|
| author | Кузьменко, В.М. |
| author_facet | Кузьменко, В.М. |
| citation_txt | Влияние полупроводникового покрытия на
 электроперенос в аморфных и кристаллических
 пленках металлов
 / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
за изменение ρ.
Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V,
Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття
на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен
і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з
аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц
іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон
ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ.
The influence of an amorphous Sb-coating on
resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of
V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions
of V and Bi the values decrease, while for
Yb they increase. The influence of the coating on ρ
is limited by its thickness dcov
d⁰cov=10–60 nm, depending
on kind and phase condition of the base metal. An
increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov
does not result in a further change ρ. The observed
changes in ρ are attributed to the transfer of a part of
the electrons from amorphous antimony to Bi and V,
and from amorphous and crystalline films of Yb to
amorphous antimony. In such cases a contact potential
between layers of a metal and the semiconductor
is formed, and the density of states of metal conduction
electrons is changed implying for change of ρ.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:55:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117390 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:55:04Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кузьменко, В.М. 2017-05-23T10:05:10Z 2017-05-23T10:05:10Z 2008 Влияние полупроводникового покрытия на
 электроперенос в аморфных и кристаллических
 пленках металлов
 / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 61.43.Dq;64.70.P- https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
 пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
 зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
 к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
 электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
 сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
 При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
 за изменение ρ. Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V,
 Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття
 на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен
 і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з
 аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц
 іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон
 ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ. The influence of an amorphous Sb-coating on
 resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of
 V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions
 of V and Bi the values decrease, while for
 Yb they increase. The influence of the coating on ρ
 is limited by its thickness dcov
 d⁰cov=10–60 nm, depending
 on kind and phase condition of the base metal. An
 increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov
 does not result in a further change ρ. The observed
 changes in ρ are attributed to the transfer of a part of
 the electrons from amorphous antimony to Bi and V,
 and from amorphous and crystalline films of Yb to
 amorphous antimony. In such cases a contact potential
 between layers of a metal and the semiconductor
 is formed, and the density of states of metal conduction
 electrons is changed implying for change of ρ. Автор выражает глубокую благодарность А.Н. Стеценко
 за помощь в структурных исследованиях. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов The influence of semiconductor coating on electron transport in amorphous and crystalline films of metals Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов Кузьменко, В.М. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_alt | The influence of semiconductor coating on electron transport in amorphous and crystalline films of metals |
| title_full | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_fullStr | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_full_unstemmed | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_short | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_sort | влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| topic | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 |
| work_keys_str_mv | AT kuzʹmenkovm vliâniepoluprovodnikovogopokrytiânaélektroperenosvamorfnyhikristalličeskihplenkahmetallov AT kuzʹmenkovm theinfluenceofsemiconductorcoatingonelectrontransportinamorphousandcrystallinefilmsofmetals |