Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов
Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм, зависящей от вида и фазового состоя...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117390 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кузьменко, В.М. 2017-05-23T10:05:10Z 2017-05-23T10:05:10Z 2008 Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 61.43.Dq;64.70.P- https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм, зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника. При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное за изменение ρ. Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V, Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ. The influence of an amorphous Sb-coating on resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions of V and Bi the values decrease, while for Yb they increase. The influence of the coating on ρ is limited by its thickness dcov d⁰cov=10–60 nm, depending on kind and phase condition of the base metal. An increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov does not result in a further change ρ. The observed changes in ρ are attributed to the transfer of a part of the electrons from amorphous antimony to Bi and V, and from amorphous and crystalline films of Yb to amorphous antimony. In such cases a contact potential between layers of a metal and the semiconductor is formed, and the density of states of metal conduction electrons is changed implying for change of ρ. Автор выражает глубокую благодарность А.Н. Стеценко за помощь в структурных исследованиях. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов The influence of semiconductor coating on electron transport in amorphous and crystalline films of metals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| spellingShingle |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов Кузьменко, В.М. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title_short |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_full |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_fullStr |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_full_unstemmed |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| title_sort |
влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов |
| author |
Кузьменко, В.М. |
| author_facet |
Кузьменко, В.М. |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The influence of semiconductor coating on electron transport in amorphous and crystalline films of metals |
| description |
Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
за изменение ρ.
Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V,
Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття
на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен
і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з
аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц
іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон
ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ.
The influence of an amorphous Sb-coating on
resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of
V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions
of V and Bi the values decrease, while for
Yb they increase. The influence of the coating on ρ
is limited by its thickness dcov
d⁰cov=10–60 nm, depending
on kind and phase condition of the base metal. An
increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov
does not result in a further change ρ. The observed
changes in ρ are attributed to the transfer of a part of
the electrons from amorphous antimony to Bi and V,
and from amorphous and crystalline films of Yb to
amorphous antimony. In such cases a contact potential
between layers of a metal and the semiconductor
is formed, and the density of states of metal conduction
electrons is changed implying for change of ρ.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117390 |
| citation_txt |
Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kuzʹmenkovm vliâniepoluprovodnikovogopokrytiânaélektroperenosvamorfnyhikristalličeskihplenkahmetallov AT kuzʹmenkovm theinfluenceofsemiconductorcoatingonelectrontransportinamorphousandcrystallinefilmsofmetals |
| first_indexed |
2025-12-07T18:55:04Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:55:04Z |
| _version_ |
1850876839808991232 |