Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов - Кузьменко, В.М. (Физика низких температур, 2008)
Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
за изменение ρ. Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V,
Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття
на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен
і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з
аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц
іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон
ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ. The influence of an amorphous Sb-coating on
resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of
V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions
of V and Bi the values decrease, while for
Yb they increase. The influence of the coating on ρ
is limited by its thickness dcov
d⁰cov=10–60 nm, depending
on kind and phase condition of the base metal. An
increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov
does not result in a further change ρ. The observed
changes in ρ are attributed to the transfer of a part of
the electrons from amorphous antimony to Bi and V,
and from amorphous and crystalline films of Yb to
amorphous antimony. In such cases a contact potential
between layers of a metal and the semiconductor
is formed, and the density of states of metal conduction
electrons is changed implying for change of ρ.