Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии

Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паро...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2009
Автори: Смородин, А.В., Николаенко, В.А., Соколов, С.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117407
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии / А.В. Смородин, В.А. Николаенко, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 10. — С. 978-982. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паровой фазе. Показано, что при повышении температуры монотонное уменьшение подвижности, пропорциональное изменению концентрации гелиевого пара, сменяется резким падением, которое авторы связывают с возможным образованием поверхностного аниона - поляронного электронного образования в плотном гелиевом паре. Полученные результаты сопоставлены с результатами по подвижности двумерных и трехмерных систем электронов в гелиевом паре. Наведено результати експериментального дослідження рухливості поверхневих електронів у рідкому гелії, що локалізовані у квазіодновимірних провідних каналах над профільованою підкладкою. Рухливість електронів вимірялася в області температур, яка відповідає розсіюванню частинок на атомах гелію в паровій фазі. Показано, що при підвищенні температури монотонне зменшення рухливості, яке пропорційне зміні концентрації гелієвого пару, змінюється різким падінням, яке автори зв’язують із можливим формуванням поверхневого аніона — поляронного електронного утворення в щільному гелієвому парі. Отримані результати зіставлено з результатами по рухливості двовимірних і тривимірних систем електронів у гелієвому парі. The experimental data on mobility of surface electrons over liquid helium, localized in quasione-dimensional conducting channels over the profiled substrate are consideted. The mobility is measured in the temperature range of electron scattering by helium atoms in a vapor phase. It is shown that as the temperature is increase, the monotonous decrease of mobility, proportional to helium vapor concentration, changes to an abrupt one which is attributed by the authors to a possible formation of a surface anion–electron polaron state in dense helium gas. The results obtained are compared with those on mobility of two- and three-dimensional electron systems in helium vapor.
ISSN:0132-6414