Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии

• Опубліковано в: Физика низких температур
• Дата: 2009
• ISSN: 0132-6414
• Автори: Смородин, А.В., Николаенко, В.А., Соколов, С.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117407
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии / А.В. Смородин, В.А. Николаенко, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 10. — С. 978-982. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паровой фазе. Показано, что при повышении температуры монотонное уменьшение подвижности, пропорциональное изменению концентрации гелиевого пара, сменяется резким падением, которое авторы связывают с возможным образованием поверхностного аниона - поляронного электронного образования в плотном гелиевом паре. Полученные результаты сопоставлены с результатами по подвижности двумерных и трехмерных систем электронов в гелиевом паре. Наведено результати експериментального дослідження рухливості поверхневих електронів у рідкому гелії, що локалізовані у квазіодновимірних провідних каналах над профільованою підкладкою. Рухливість електронів вимірялася в області температур, яка відповідає розсіюванню частинок на атомах
 гелію в паровій фазі. Показано, що при підвищенні температури монотонне зменшення рухливості, яке
 пропорційне зміні концентрації гелієвого пару, змінюється різким падінням, яке автори зв’язують із
 можливим формуванням поверхневого аніона — поляронного електронного утворення в щільному
 гелієвому парі. Отримані результати зіставлено з результатами по рухливості двовимірних і тривимірних систем електронів у гелієвому парі. The experimental data on mobility of surface
 electrons over liquid helium, localized in quasione-dimensional
 conducting channels over the profiled
 substrate are consideted. The mobility is measured
 in the temperature range of electron scattering
 by helium atoms in a vapor phase. It is shown
 that as the temperature is increase, the monotonous
 decrease of mobility, proportional to helium vapor
 concentration, changes to an abrupt one which is
 attributed by the authors to a possible formation of
 a surface anion–electron polaron state in dense helium
 gas. The results obtained are compared with
 those on mobility of two- and three-dimensional
 electron systems in helium vapor.