Неравновесные эффекты при туннелировании в манганиты

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2009
• Main Authors: Бойченко, Д.И., Дьяченко, А.И., Таренков, В.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Subjects: Кpаткие сообщения
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117416
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Неравновесные эффекты при туннелировании в манганиты / Д.И. Бойченко, А.И. Дьяченко, В.Ю. Таренков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 10. — С. 1051-1054. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Вольт-амперные характеристики туннельных контактов Ag-I-LaCaMnO демонстрировали аномально резкое приращение тока в районе напряжений V ≈ ± 1 В, независимо от полярности приложенного потенциала и сопротивления образца. Эффект аномального роста тока в ВАХ контактов металл-диэлектрик-манганит связывается с наличием резонансных уровней в барьере туннельного контакта и перераспределением кислородных вакансий под действием тока "горячих" электронов, приводящим к частичной металлизации поверхности барьера. Вольт-амперні характеристики тунельних контактів Ag–I–LaCaMnO демонстрували аномально різне збільшення струму в районі напруг V ≈ ± 1 В, незалежно від полярності прикладеного потенціалу та опору зразка. Ефект аномального росту струму у ВАХ контактів метал–діелектрик–манганіт зв’язується з наявністю резонансних рівнів у бар’єрі тунельного контакту та перерозподілом кисневих вакансій під дією струму «гарячих» електронів, що призводить до часткової металізації поверхні бар’єра. The current-voltage characteristics of Ag–I–LaCaMnO tunnel junctions demonstrated a nearly vertical increment in current for V ≈ ± 1 V irrespective of the polarity of applied potential ande specimen resistance. The effect of anomalous current growth in the CVC for the metal–dielectric–manganite junctions is related to the resonance levels present in the tunnel-junction barrier and to redistribution of oxygen vacancies influenced by the current of «hot» electrons, thus resulting in partial deposition of the metal on the barrier surface.