Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов
Исследована комплексная проводимость электронных кристаллов с поверхностной плотностью (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в условиях динамического перехода. Измерения проведены при температурах 70–90 мК, что существенно ниже температур плавления в термодинамически равновесных условиях. Переход наблюдается при...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117543 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1267–1275. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713163179360256 |
|---|---|
| author | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. |
| author_facet | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. |
| citation_txt | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1267–1275. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследована комплексная проводимость электронных кристаллов с поверхностной плотностью (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в условиях динамического перехода. Измерения проведены при температурах 70–90 мК, что существенно ниже температур плавления в термодинамически равновесных условиях. Переход наблюдается при увеличении ведущего электрического поля в плоскости электронного слоя и сопровождается скачками обеих компонент обратной проводимости слоя при достижении критического значения поля. Определена зависимость критического поля от поверхностной плотности электронного слоя.
Досліджено комплексну провідність електронних кристалів з поверхневою густиною (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в умовах динамічного переходу. Вимірювання проведено при температурах 70–90 мК, що суттєво нижче температур плавлення в умовах термодинамічної рівноваги. Перехід спостерігається при збільшенні ведучого електричного поля в площині електронного шару та супроводжується стрибками обох компонент зворотної провідності при досягненні критичного значення поля. Знайдено залежність критичного поля від поверхневої густини електронного шару.
The complex admittance of the electron crystals with a surface density of (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) cm⁻² is studied under dynamic transition. The measurements are performed at temperatures 70–90 mK, which are essentially lower than the melting temperature at thermodynamic equilibrium. The transition is observed with increasing the driving electric field in an electron layer. It is accompanied by jumps of both components of the inverse conductivity of the layer at a critical field. The dependence of critical field on electron surface density is found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:42:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117543 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:42:46Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. 2017-05-24T05:52:04Z 2017-05-24T05:52:04Z 2010 Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1267–1275. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.90.+z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117543 Исследована комплексная проводимость электронных кристаллов с поверхностной плотностью (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в условиях динамического перехода. Измерения проведены при температурах 70–90 мК, что существенно ниже температур плавления в термодинамически равновесных условиях. Переход наблюдается при увеличении ведущего электрического поля в плоскости электронного слоя и сопровождается скачками обеих компонент обратной проводимости слоя при достижении критического значения поля. Определена зависимость критического поля от поверхностной плотности электронного слоя. Досліджено комплексну провідність електронних кристалів з поверхневою густиною (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) см⁻² в умовах динамічного переходу. Вимірювання проведено при температурах 70–90 мК, що суттєво нижче температур плавлення в умовах термодинамічної рівноваги. Перехід спостерігається при збільшенні ведучого електричного поля в площині електронного шару та супроводжується стрибками обох компонент зворотної провідності при досягненні критичного значення поля. Знайдено залежність критичного поля від поверхневої густини електронного шару. The complex admittance of the electron crystals with a surface density of (3,2⋅10⁸–12,6⋅10⁸) cm⁻² is studied under dynamic transition. The measurements are performed at temperatures 70–90 mK, which are essentially lower than the melting temperature at thermodynamic equilibrium. The transition is observed with increasing the driving electric field in an electron layer. It is accompanied by jumps of both components of the inverse conductivity of the layer at a critical field. The dependence of critical field on electron surface density is found. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов Complex conductivity of 2D electron crystal over liquid helium in the region of dynamic transitions Article published earlier |
| spellingShingle | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| title | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| title_alt | Complex conductivity of 2D electron crystal over liquid helium in the region of dynamic transitions |
| title_full | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| title_fullStr | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| title_full_unstemmed | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| title_short | Комплексная проводимость 2D электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| title_sort | комплексная проводимость 2d электронного кристалла над жидким гелием в области динамических переходов |
| topic | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| topic_facet | Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117543 |
| work_keys_str_mv | AT sivokonʹve kompleksnaâprovodimostʹ2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvoblastidinamičeskihperehodov AT nasedkinka kompleksnaâprovodimostʹ2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvoblastidinamičeskihperehodov AT sivokonʹve complexconductivityof2delectroncrystaloverliquidheliumintheregionofdynamictransitions AT nasedkinka complexconductivityof2delectroncrystaloverliquidheliumintheregionofdynamictransitions |