Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки - Дмитриев, В.М.; Золочевский, И.В.; Саленкова, Т.В. (Физика низких температур, 2009)
Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного поля тока и проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Показано, что под действием микроволнового облучения резистивность пленки, обусловленная вихревым механизмом, уменьшается и при больших уровнях мощности (Р > 0,4Рс) исчезает, при этом dc резистивность пленки обусловлена только процессами проскальзывания фазы, как в узких безвихревых каналах. Экспериментально установлено, что начиная с некоторого уровня мощности Р* < Рс электромагнитное поле играет определяющую роль в процессах возникновения линий проскальзывания фазы. Аналогичный вывод сделан и при исследовании влияния микроволнового поля на дифференциальное сопротивление центра проскальзывания фазы в узких безвихревых каналах, что говорит о единой природе процессов проскальзывания фазы в широких и узких пленках. Експериментально досліджено вплив високочастотного електромагнітного поля на резистивний стан широкої плівки, який обумовлений протіканням постійного струму. У цій ситуації резистивність виникає як наслідок розвитку двох процесів: руху пірл-абрикосівських вихорів власного магнітного поля струму та проковзування фази надпровідного параметра порядку. Показано, що під дією мікрохвильового опромінення резистивність плівки, яка обумовлена вихоровим механізмом, зменшується та при великих рівнях потужності (Р > 0,4Рс) зникає, при цьому dc резистивність плівки обумовлена тільки процесами проковзування фази, як у вузьких безвихорових каналах. Експериментально встановлено, що починаючи з деякого рівня потужності Р* < Рс електромагнітне поле відіграє визначальну роль у процесах виникнення ліній проковзування фази. Аналогічний висновок зроблено і при дослідженні впливу мікрохвильового поля на диференціальний опір центра проковзування фази у вузьких безвихорових каналах, що говорить про єдину природу процесів проковзування фази в широких та вузьких плівках. The influence of microwave field on direct current resistive state of a wide film is measured. In this situation the resistivity results from the development of two processes: the motion of Pearl–Abrikosov vortices of the current self-magnetic field and the phase-slip of the superconducting order parameter. It is shown that under the action of microwave irradiation the film resistivity caused by the vortex mechanism decreases and then at high power levels (P > 0.4Pc) it vanishes, the dc resistivity of the film being due to only the phase-slip processes as in a narrow superconducting vortex-free channel. It is found that beginning with a certain level of power (P* < Pc), the microwave field is the determining factor in the processes of initiation of phase-slip lines. The same conclusion has been made in the study of the effect of microwave field on differential resistance of phase-slip centers in narrow vortex-free channels, suggesting that the processes of phase-slip in wide and narrow films are of the same nature.