Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В., Саленкова, Т.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117570
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки / В.М. Дмитриев , И.В. Золочевский, Т.В. Саленкова // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 11. — С. 1089-1095. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного...