Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2016
• 1. Verfasser: Кругляк, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117590
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 1. — С. 27-45. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

При описании транспорта электронов по проводнику в диффузионном режиме важную роль играет средняя длина свободного обратного рассеяния λ, которая определяет коэффициент прохождения T. Для более глубокого понимания того, как средняя скорость электронов и среднее время рассеяния определяют величину λ,...