Radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from Raman spectroscopy measurements
Radiation-induced structural changes in the chalcogenide glasses of (As₂S₃)x(GeS₂)₍₁₋х₎ system with x = 0.1, 0.2, 0.4, and 0.6 corresponding to the chemical compositions Ge₂₈.₁₂₅As₆.₂₅S₆₅.₆₂₅, Ge₂₃.₅As₁₁.₈S₆₄.₇, Ge₁₅.₈As₂₁S₆₃.₂, and Ge₉.₅As₂₈.₆S₆₁.₉, respectively, were studied using the Raman spectr...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117599 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from Raman spectroscopy measurements / T.S. Kavetskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 1. — С. 27-36. — Бібліогр.: 63 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!