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Simple method for SiC nanowires fabrication

In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60-80 min at 1...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Kiselov, V.S., Lytvyn, O.S., Yukhymchuk, V.O., Belyaev, A.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117602
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Simple method for SiC nanowires fabrication/ V.S. Kiselov, O.S. Lytvyn, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 7-11. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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