Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃

Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне
 температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехме...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2012
Hauptverfasser: Пирятинская, В.Г., Качур, И.С., Славин, В.В., Еременко, А.В., Высочанский, Ю.М.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне
 температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению
 ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в
 кристалле MnPS₃. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели. Проведено вимірювання спектрів поглинання світла в шаруватому напівпровіднику MnPS₃ в діапазоні
 температур 12–160 К, що охоплює температуру магнітного впорядкування. Показано, що коефіцієнт міжзонного поглинання світла добре описується в рамках моделі для прямих дозволених переходів в тривимірних сполуках, а збільшення температури приводить до ефективного зменшення ширини забороненої
 зони. Запропоновано теоретичну модель, що описує оптичні переходи в кристалі MnPS₃. Порівняння
 експериментальних і теоретичних даних свідчить про адекватність вибраної моделі. The light absorption spectra of the layered semiconductor
 MnPS₃ are measured in the temperature
 range 12–160 K, which covers the temperature of
 magnetic ordering. It is shown that the interband light
 absorption coefficient can be described well in the
 frameworks of three-dimensional model for direct allowed
 transitions, while an increase in temperature
 leads only to a decrease of effective energy gap. A
 theoretical model is proposed to describe the optical
 transition in the crystal. A comparison between experimental
 and theoretical data indicates that the chosen
 model is adequate.
ISSN:0132-6414