Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных сое...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне
температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению
ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в
кристалле MnPS₃. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели.
Проведено вимірювання спектрів поглинання світла в шаруватому напівпровіднику MnPS₃ в діапазоні
температур 12–160 К, що охоплює температуру магнітного впорядкування. Показано, що коефіцієнт міжзонного поглинання світла добре описується в рамках моделі для прямих дозволених переходів в тривимірних сполуках, а збільшення температури приводить до ефективного зменшення ширини забороненої
зони. Запропоновано теоретичну модель, що описує оптичні переходи в кристалі MnPS₃. Порівняння
експериментальних і теоретичних даних свідчить про адекватність вибраної моделі.
The light absorption spectra of the layered semiconductor
MnPS₃ are measured in the temperature
range 12–160 K, which covers the temperature of
magnetic ordering. It is shown that the interband light
absorption coefficient can be described well in the
frameworks of three-dimensional model for direct allowed
transitions, while an increase in temperature
leads only to a decrease of effective energy gap. A
theoretical model is proposed to describe the optical
transition in the crystal. A comparison between experimental
and theoretical data indicates that the chosen
model is adequate.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |