Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃

Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных сое...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2012
Main Authors: Пирятинская, В.Г., Качур, И.С., Славин, В.В., Еременко, А.В., Высочанский, Ю.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в кристалле MnPS₃. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели. Проведено вимірювання спектрів поглинання світла в шаруватому напівпровіднику MnPS₃ в діапазоні температур 12–160 К, що охоплює температуру магнітного впорядкування. Показано, що коефіцієнт міжзонного поглинання світла добре описується в рамках моделі для прямих дозволених переходів в тривимірних сполуках, а збільшення температури приводить до ефективного зменшення ширини забороненої зони. Запропоновано теоретичну модель, що описує оптичні переходи в кристалі MnPS₃. Порівняння експериментальних і теоретичних даних свідчить про адекватність вибраної моделі. The light absorption spectra of the layered semiconductor MnPS₃ are measured in the temperature range 12–160 K, which covers the temperature of magnetic ordering. It is shown that the interband light absorption coefficient can be described well in the frameworks of three-dimensional model for direct allowed transitions, while an increase in temperature leads only to a decrease of effective energy gap. A theoretical model is proposed to describe the optical transition in the crystal. A comparison between experimental and theoretical data indicates that the chosen model is adequate.
ISSN:0132-6414