Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃

Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных сое...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2012
Hauptverfasser: Пирятинская, В.Г., Качур, И.С., Славин, В.В., Еременко, А.В., Высочанский, Ю.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117619
record_format dspace
spelling Пирятинская, В.Г.
Качур, И.С.
Славин, В.В.
Еременко, А.В.
Высочанский, Ю.М.
2017-05-25T17:21:30Z
2017-05-25T17:21:30Z
2012
Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 78.40.–q, 78.40.Fy, 75.50.Ee
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619
Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в кристалле MnPS₃. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели.
Проведено вимірювання спектрів поглинання світла в шаруватому напівпровіднику MnPS₃ в діапазоні температур 12–160 К, що охоплює температуру магнітного впорядкування. Показано, що коефіцієнт міжзонного поглинання світла добре описується в рамках моделі для прямих дозволених переходів в тривимірних сполуках, а збільшення температури приводить до ефективного зменшення ширини забороненої зони. Запропоновано теоретичну модель, що описує оптичні переходи в кристалі MnPS₃. Порівняння експериментальних і теоретичних даних свідчить про адекватність вибраної моделі.
The light absorption spectra of the layered semiconductor MnPS₃ are measured in the temperature range 12–160 K, which covers the temperature of magnetic ordering. It is shown that the interband light absorption coefficient can be described well in the frameworks of three-dimensional model for direct allowed transitions, while an increase in temperature leads only to a decrease of effective energy gap. A theoretical model is proposed to describe the optical transition in the crystal. A comparison between experimental and theoretical data indicates that the chosen model is adequate.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
К 80-летию Виктора Валентиновича Еременко
Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
Temperature behavior of fundamental absorption edge in quasi-two-dimensional MnPS₃ crystal
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
spellingShingle Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
Пирятинская, В.Г.
Качур, И.С.
Славин, В.В.
Еременко, А.В.
Высочанский, Ю.М.
К 80-летию Виктора Валентиновича Еременко
title_short Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
title_full Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
title_fullStr Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
title_full_unstemmed Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃
title_sort температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле mnps₃
author Пирятинская, В.Г.
Качур, И.С.
Славин, В.В.
Еременко, А.В.
Высочанский, Ю.М.
author_facet Пирятинская, В.Г.
Качур, И.С.
Славин, В.В.
Еременко, А.В.
Высочанский, Ю.М.
topic К 80-летию Виктора Валентиновича Еременко
topic_facet К 80-летию Виктора Валентиновича Еременко
publishDate 2012
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Temperature behavior of fundamental absorption edge in quasi-two-dimensional MnPS₃ crystal
description Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS₃ в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в кристалле MnPS₃. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели. Проведено вимірювання спектрів поглинання світла в шаруватому напівпровіднику MnPS₃ в діапазоні температур 12–160 К, що охоплює температуру магнітного впорядкування. Показано, що коефіцієнт міжзонного поглинання світла добре описується в рамках моделі для прямих дозволених переходів в тривимірних сполуках, а збільшення температури приводить до ефективного зменшення ширини забороненої зони. Запропоновано теоретичну модель, що описує оптичні переходи в кристалі MnPS₃. Порівняння експериментальних і теоретичних даних свідчить про адекватність вибраної моделі. The light absorption spectra of the layered semiconductor MnPS₃ are measured in the temperature range 12–160 K, which covers the temperature of magnetic ordering. It is shown that the interband light absorption coefficient can be described well in the frameworks of three-dimensional model for direct allowed transitions, while an increase in temperature leads only to a decrease of effective energy gap. A theoretical model is proposed to describe the optical transition in the crystal. A comparison between experimental and theoretical data indicates that the chosen model is adequate.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117619
citation_txt Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS₃ / В.Г. Пирятинская, И.С. Качур, В.В. Славин, А.В. Еременко, Ю.М. Высочанский // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 9. — С. 1097-1101 . — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT pirâtinskaâvg temperaturnoepovedeniekraâfundamentalʹnogopogloŝeniâsvetavkvazidvumernomkristallemnps3
AT kačuris temperaturnoepovedeniekraâfundamentalʹnogopogloŝeniâsvetavkvazidvumernomkristallemnps3
AT slavinvv temperaturnoepovedeniekraâfundamentalʹnogopogloŝeniâsvetavkvazidvumernomkristallemnps3
AT eremenkoav temperaturnoepovedeniekraâfundamentalʹnogopogloŝeniâsvetavkvazidvumernomkristallemnps3
AT vysočanskiiûm temperaturnoepovedeniekraâfundamentalʹnogopogloŝeniâsvetavkvazidvumernomkristallemnps3
AT pirâtinskaâvg temperaturebehavioroffundamentalabsorptionedgeinquasitwodimensionalmnps3crystal
AT kačuris temperaturebehavioroffundamentalabsorptionedgeinquasitwodimensionalmnps3crystal
AT slavinvv temperaturebehavioroffundamentalabsorptionedgeinquasitwodimensionalmnps3crystal
AT eremenkoav temperaturebehavioroffundamentalabsorptionedgeinquasitwodimensionalmnps3crystal
AT vysočanskiiûm temperaturebehavioroffundamentalabsorptionedgeinquasitwodimensionalmnps3crystal
first_indexed 2025-12-02T03:04:04Z
last_indexed 2025-12-02T03:04:04Z
_version_ 1850861418857889792