X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) study, possibilities of X-ray diffraction methods for diagnostics of highly doped semiconductor crystals in characterization of dopant state – whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition – are shown. The com...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Shul’pina, I.L., Kyutt, R.N., Ratnikov, V.V., Prokhorov, I.A., Bezbakh, I.Zh., Shcheglov, M.P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117624 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals / I.L. Shul’pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 62-70. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)
Rotation of single crystals of chiral dopants at the top of namatic droplet: a hydrodynamical analogy
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Dopant concentration dependence of thermostimulated luminescence in Li₂B₄O₇:Mn single crystals
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
за авторством: V'yunov, O.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V'yunov, O.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Superconducting properties of a two-dimensional doped semiconductor
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Synergy of polyaniline and dopant action in corrosion protection of mild steel
за авторством: M. O. Ogurtsov
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. O. Ogurtsov
Опубліковано: (2012)
Control of chromium dopant content in optical ceramics Cr:YAG
за авторством: Gayduk, O.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gayduk, O.V.
Опубліковано: (2017)
Hysteretic phenomena in Xe-doped C₆₀ from x-ray diffraction
за авторством: Prokhvatilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Prokhvatilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Mechanisms of local inhomogeneity of dopant concentration in Y₂SiO₅:Pr³⁺ nanocrystals
за авторством: Seminko, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Seminko, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Magnetic properties lithium-doped manganite single crystals
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Migration-enhanced energy transfer from host to dopant in Sr₂CeO₄:Eu crystal
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures
за авторством: O. O. Yefremov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. O. Yefremov, та інші
Опубліковано: (2015)
Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures
за авторством: A. A. Efremov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Efremov, та інші
Опубліковано: (2015)
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
за авторством: Zakharko, Ya.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Zakharko, Ya.M., та інші
Опубліковано: (2005)
The difficult doped zirconium alloys melting to nuclear power in the cathode-ray unit
за авторством: A. V. Rjabinin
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Rjabinin
Опубліковано: (2014)
Comparative effects of stearic acid, calcium and magnesium stearates as dopants in model lipid membranes
за авторством: Vashchenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vashchenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)
Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Electronic structure and x-ray magnetic circular dichroism of Mn-doped TiO₂
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)
Infrared-active vibron bands associated with rare gas atom dopants isolated in solid parahydrogen
за авторством: Raston, P.L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Raston, P.L., та інші
Опубліковано: (2007)
Lifshitz topological transitions induced by doping and deformation in single-crystal Bi wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of dopants and heating temperatures on demagnetization and Curie point of thermomagnetic powder materials based on iron-nickel alloys
за авторством: Ya. A. Sytnyk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. A. Sytnyk, та інші
Опубліковано: (2018)
Growth and characterization of КН₂РО₄ single crystals doped with ТіO₂ nanocrystals
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011) -
Rotation of single crystals of chiral dopants at the top of namatic droplet: a hydrodynamical analogy
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)