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Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals

It has been shown that a result of InSe crystal oxidation is formation of an intrinsic oxide film that has not insulating but conductive properties. This conductive film forms a potential barrier with the semiconductor substrate. Sheet resistance measurements of the InSe o...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117651
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals / V.M. Katerynchuk, Z.D. Kovalyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 106-108. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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