The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
The metal-catalyzed chemical vapor deposition on silicon substrates remains one of the most promising technologies for growing the silicon nanowires up to now. The process involves a wide variety of elementary events (adsorption, desorption, and multicomponent atomic transport with strongly differen...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | Efremov, A., Klimovskaya, A., Hourlier, D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117659 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires / A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 18-26. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2018)
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)
Mechanical strain in the structure of an array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Electron growth of Pb nanoobjects on silicon surfaces
за авторством: D. A. Fokin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. A. Fokin, та інші
Опубліковано: (2011)
Surface Effect on the Nanowire Forest Indentation
за авторством: Yang, F.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yang, F.
Опубліковано: (2018)
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2012)
Energy characteristics of metal nanowires with periodically modulated surface
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2019)
Energy characteristics of metal nanowires with periodically modulated surface
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2019)
Mechanism of multicomponent diffusion ions in silicate glass-forming melts
за авторством: S. A. Kukharenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Kukharenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: Parfenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Parfenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Modelling of non-steady nucleation in open nanosystems: growth of nanowires in the vapour–liquid–solid reaction
за авторством: Ju. Ljashenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ju. Ljashenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Investigation of the influence of the power of the field of various cations on ion diffusion in multicomponent silicate systems
за авторством: S. A. Kukharenko
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. A. Kukharenko
Опубліковано: (2018)
Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: A. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. G. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)
Quantum fluctuations of voltage in superconducting nanowires
за авторством: Semenov, Andrew G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Semenov, Andrew G., та інші
Опубліковано: (2017)
Analysis of silicon nanowhiskers growth kinetics
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2011)
Quantum oscillations of resistivity in bismuth nanowires
за авторством: Condrea, E., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Condrea, E., та інші
Опубліковано: (2010)
Structural and Electronic Properties of Lithium Nanowires
за авторством: V. G. Butko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. G. Butko, та інші
Опубліковано: (2014)
Growth and characterization of urea-doped KDP crystals
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2007)
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Optical properties of ZnS:Ni crystals obtained by diffusion doping
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2018) -
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2018) -
Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019) -
Mechanical strain in the structure of an array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019) -
Electron growth of Pb nanoobjects on silicon surfaces
за авторством: D. A. Fokin, та інші
Опубліковано: (2011)