Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals
The effect of static magnetic field (B = 0.17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elap...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | Korotchenkov, O.O., Steblenko, L.P., Podolyan, A.O., Kalinichenko, D.V., Tesel’ko, P.O., Kravchenko, V.M., Tkach, N.V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117665 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals / O.O. Korotchenkov, L.P. Steblenko, A.O. Podolyan, D.V. Kalinichenko, P.O. Tesel’ko, V.M. Kravchenko, N.V. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 1. — С. 72-75. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
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