Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2009
• Main Authors: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях. Експериментально досліджено залежність опору високочастотної лінії проковзування фази (ас
 ЛПФ) в олов’яній широкій плівці від частоти зовнішнього опромінення. Показано, що поведінка спадаючої гілки немонотонної частотної залежності опору ас ЛПФ добре узгоджується із пророкуванням
 теорії. Поведінка зростаючої гілки цієї частотної залежності пов’язується з нелінійними процесами
 релаксації розбалансу заселеностей гілок квазічастинкового спектра в умовах мікрохвильового накачування при частотах опромінення, більших оберненого часу релаксації зарядового розбалансу. Проведенo порівняння з аналогічними залежностями для високочастотних центрів проковзування фази у
 вузьких каналах. Отриманo залежності глибини проникнення змінного поздовжнього електричного
 поля в надпровідник від частоти й довжини вільного пробігу електронів при розсіюванні на домішках. The resistance of high-frequency phase-slip
 line (ac PSL) in a wide tin film is measured as a
 function of external irradiation frequency. It is
 shown that the descending branch of the nonmonotonic
 frequency dependence of ac PSL resistance
 agrees well with the theoretical predictions. The
 behavior of the ascending branch of the frequency
 dependence is dictated by the nonlinear relaxation
 of population imbalance of the quasi-particle energy
 spectrum branches under microwave pumping
 at frequencies higher than the inverse time of relaxation
 of charge imbalance. The results obtained are
 compared with similar dependences for high-frequency
 phase-slip centers (ac PSC) in narrow channels.
 The dependences of depth of a longitudinal
 electric field penetration into the superconductor
 on frequency and mean free path of electrons under
 the scattering by impurities are obtained.