Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем

Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями т...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2009
Hauptverfasser: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117673
record_format dspace
spelling Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
2017-05-26T06:37:43Z
2017-05-26T06:37:43Z
2009
Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.78.Db, 74.25.Fy, 74.25.Nf, 74.40.+k
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях.
Експериментально досліджено залежність опору високочастотної лінії проковзування фази (ас ЛПФ) в олов’яній широкій плівці від частоти зовнішнього опромінення. Показано, що поведінка спадаючої гілки немонотонної частотної залежності опору ас ЛПФ добре узгоджується із пророкуванням теорії. Поведінка зростаючої гілки цієї частотної залежності пов’язується з нелінійними процесами релаксації розбалансу заселеностей гілок квазічастинкового спектра в умовах мікрохвильового накачування при частотах опромінення, більших оберненого часу релаксації зарядового розбалансу. Проведенo порівняння з аналогічними залежностями для високочастотних центрів проковзування фази у вузьких каналах. Отриманo залежності глибини проникнення змінного поздовжнього електричного поля в надпровідник від частоти й довжини вільного пробігу електронів при розсіюванні на домішках.
The resistance of high-frequency phase-slip line (ac PSL) in a wide tin film is measured as a function of external irradiation frequency. It is shown that the descending branch of the nonmonotonic frequency dependence of ac PSL resistance agrees well with the theoretical predictions. The behavior of the ascending branch of the frequency dependence is dictated by the nonlinear relaxation of population imbalance of the quasi-particle energy spectrum branches under microwave pumping at frequencies higher than the inverse time of relaxation of charge imbalance. The results obtained are compared with similar dependences for high-frequency phase-slip centers (ac PSC) in narrow channels. The dependences of depth of a longitudinal electric field penetration into the superconductor on frequency and mean free path of electrons under the scattering by impurities are obtained.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
The frequency dependence of resistance of phase-slip line induced by electromagnetic field
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
spellingShingle Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title_short Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_full Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_fullStr Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_full_unstemmed Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_sort частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
author Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
author_facet Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
publishDate 2009
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The frequency dependence of resistance of phase-slip line induced by electromagnetic field
description Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях. Експериментально досліджено залежність опору високочастотної лінії проковзування фази (ас ЛПФ) в олов’яній широкій плівці від частоти зовнішнього опромінення. Показано, що поведінка спадаючої гілки немонотонної частотної залежності опору ас ЛПФ добре узгоджується із пророкуванням теорії. Поведінка зростаючої гілки цієї частотної залежності пов’язується з нелінійними процесами релаксації розбалансу заселеностей гілок квазічастинкового спектра в умовах мікрохвильового накачування при частотах опромінення, більших оберненого часу релаксації зарядового розбалансу. Проведенo порівняння з аналогічними залежностями для високочастотних центрів проковзування фази у вузьких каналах. Отриманo залежності глибини проникнення змінного поздовжнього електричного поля в надпровідник від частоти й довжини вільного пробігу електронів при розсіюванні на домішках. The resistance of high-frequency phase-slip line (ac PSL) in a wide tin film is measured as a function of external irradiation frequency. It is shown that the descending branch of the nonmonotonic frequency dependence of ac PSL resistance agrees well with the theoretical predictions. The behavior of the ascending branch of the frequency dependence is dictated by the nonlinear relaxation of population imbalance of the quasi-particle energy spectrum branches under microwave pumping at frequencies higher than the inverse time of relaxation of charge imbalance. The results obtained are compared with similar dependences for high-frequency phase-slip centers (ac PSC) in narrow channels. The dependences of depth of a longitudinal electric field penetration into the superconductor on frequency and mean free path of electrons under the scattering by impurities are obtained.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
citation_txt Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT dmitrievvm častotnaâzavisimostʹsoprotivleniâliniiproskalʹzyvaniâfazyobuslovlennoiélektromagnitnympolem
AT zoločevskiiiv častotnaâzavisimostʹsoprotivleniâliniiproskalʹzyvaniâfazyobuslovlennoiélektromagnitnympolem
AT dmitrievvm thefrequencydependenceofresistanceofphasesliplineinducedbyelectromagneticfield
AT zoločevskiiiv thefrequencydependenceofresistanceofphasesliplineinducedbyelectromagneticfield
first_indexed 2025-12-07T19:24:51Z
last_indexed 2025-12-07T19:24:51Z
_version_ 1850878713155026944