Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем

Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями т...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2009
Hauptverfasser: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731184893591552
author Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
author_facet Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
citation_txt Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях. Експериментально досліджено залежність опору високочастотної лінії проковзування фази (ас
 ЛПФ) в олов’яній широкій плівці від частоти зовнішнього опромінення. Показано, що поведінка спадаючої гілки немонотонної частотної залежності опору ас ЛПФ добре узгоджується із пророкуванням
 теорії. Поведінка зростаючої гілки цієї частотної залежності пов’язується з нелінійними процесами
 релаксації розбалансу заселеностей гілок квазічастинкового спектра в умовах мікрохвильового накачування при частотах опромінення, більших оберненого часу релаксації зарядового розбалансу. Проведенo порівняння з аналогічними залежностями для високочастотних центрів проковзування фази у
 вузьких каналах. Отриманo залежності глибини проникнення змінного поздовжнього електричного
 поля в надпровідник від частоти й довжини вільного пробігу електронів при розсіюванні на домішках. The resistance of high-frequency phase-slip
 line (ac PSL) in a wide tin film is measured as a
 function of external irradiation frequency. It is
 shown that the descending branch of the nonmonotonic
 frequency dependence of ac PSL resistance
 agrees well with the theoretical predictions. The
 behavior of the ascending branch of the frequency
 dependence is dictated by the nonlinear relaxation
 of population imbalance of the quasi-particle energy
 spectrum branches under microwave pumping
 at frequencies higher than the inverse time of relaxation
 of charge imbalance. The results obtained are
 compared with similar dependences for high-frequency
 phase-slip centers (ac PSC) in narrow channels.
 The dependences of depth of a longitudinal
 electric field penetration into the superconductor
 on frequency and mean free path of electrons under
 the scattering by impurities are obtained.
first_indexed 2025-12-07T19:24:51Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-117673
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:24:51Z
publishDate 2009
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
2017-05-26T06:37:43Z
2017-05-26T06:37:43Z
2009
Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 12. — С. 1187-1191 . — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 74.78.Db, 74.25.Fy, 74.25.Nf, 74.40.+k
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях.
Експериментально досліджено залежність опору високочастотної лінії проковзування фази (ас
 ЛПФ) в олов’яній широкій плівці від частоти зовнішнього опромінення. Показано, що поведінка спадаючої гілки немонотонної частотної залежності опору ас ЛПФ добре узгоджується із пророкуванням
 теорії. Поведінка зростаючої гілки цієї частотної залежності пов’язується з нелінійними процесами
 релаксації розбалансу заселеностей гілок квазічастинкового спектра в умовах мікрохвильового накачування при частотах опромінення, більших оберненого часу релаксації зарядового розбалансу. Проведенo порівняння з аналогічними залежностями для високочастотних центрів проковзування фази у
 вузьких каналах. Отриманo залежності глибини проникнення змінного поздовжнього електричного
 поля в надпровідник від частоти й довжини вільного пробігу електронів при розсіюванні на домішках.
The resistance of high-frequency phase-slip
 line (ac PSL) in a wide tin film is measured as a
 function of external irradiation frequency. It is
 shown that the descending branch of the nonmonotonic
 frequency dependence of ac PSL resistance
 agrees well with the theoretical predictions. The
 behavior of the ascending branch of the frequency
 dependence is dictated by the nonlinear relaxation
 of population imbalance of the quasi-particle energy
 spectrum branches under microwave pumping
 at frequencies higher than the inverse time of relaxation
 of charge imbalance. The results obtained are
 compared with similar dependences for high-frequency
 phase-slip centers (ac PSC) in narrow channels.
 The dependences of depth of a longitudinal
 electric field penetration into the superconductor
 on frequency and mean free path of electrons under
 the scattering by impurities are obtained.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
The frequency dependence of resistance of phase-slip line induced by electromagnetic field
Article
published earlier
spellingShingle Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
Дмитриев, В.М.
Золочевский, И.В.
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
title Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_alt The frequency dependence of resistance of phase-slip line induced by electromagnetic field
title_full Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_fullStr Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_full_unstemmed Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_short Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
title_sort частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117673
work_keys_str_mv AT dmitrievvm častotnaâzavisimostʹsoprotivleniâliniiproskalʹzyvaniâfazyobuslovlennoiélektromagnitnympolem
AT zoločevskiiiv častotnaâzavisimostʹsoprotivleniâliniiproskalʹzyvaniâfazyobuslovlennoiélektromagnitnympolem
AT dmitrievvm thefrequencydependenceofresistanceofphasesliplineinducedbyelectromagneticfield
AT zoločevskiiiv thefrequencydependenceofresistanceofphasesliplineinducedbyelectromagneticfield